[发明专利]双槽UMOSFET器件

权利要求书

1.一种双槽UMOSFET器件，其特征在于，包括：

衬底区(1)；

漂移区(2)、外延层(3)、源区(4)，依次层叠于所述衬底区(1)的上表面；

栅极，设置于所述漂移区(2)、所述外延层(3)及所述源区(4)内部并位于所述双槽UMOSFET器件的中间位置处；

栅介质保护区(5)，设置于所述漂移区(2)内并位于所述栅极下方；

源极(10)，设置于所述漂移区(2)、所述外延层(3)及所述源区层(4)内部并位于所述双槽UMOSFET器件的靠近两侧位置处，且所述源极(10)的深度大于所述栅极的深度，所述源极(10)与所述漂移区(2)和所述外延层(3)之间的界面为肖特基接触，其余为欧姆接触；

源槽拐角保护区(6)，设置于所述漂移区(2)内并位于所述源极(10)下方；

漏极(11)，设置于所述衬底区(1)下表面。

2.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述衬底区(1)为N型SiC材料，其厚度为200μm～500μm、掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3～1×10²⁰cm^-3、掺杂离子为氮离子。

3.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述漂移区(2)为N型SiC材料，其厚度为10μm～20μm、掺杂浓度为1×10¹⁵cm^-3～6×10¹⁵cm^-3、掺杂离子为氮离子。

4.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述外延层(3)为P型SiC材料，其厚度为1μm～1.5μm、掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3、掺杂离子为铝离子。

5.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述源区(4)为N型SiC材料，其厚度为0.5μm、掺杂浓度为5×10¹⁸cm^-3、掺杂离子为氮离子。

6.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述栅极包括栅介质层(7)和栅极层(8)；所述栅介质层(7)为SiO₂材料，其厚度为100nm；所述栅极层(8)为ploy-Si材料，其厚度为2.4μm，宽度为1.3μm。

7.根据权利要求6所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述栅介质保护区(5)为P型掺杂，掺杂浓度为3×10¹⁸cm^-3，掺杂离子为铝离子，且其厚度为0.5μm。

8.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述源极(10)为Ti、Ni或Au材料，所述漏极(11)为Ti、Ni或Au材料。

9.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，所述源槽拐角保护区(6)为P型掺杂，掺杂浓度为3×10¹⁸cm^-3，掺杂离子为铝离子，且其厚度为0.5μm。

10.根据权利要求1所述的双槽UMOSFET器件，其特征在于，还包括栅电极(9)和钝化层；其中，所述钝化层设置于所述源区(4)的上表面，且所述栅电极(9)设置于所述钝化层内并连接所述栅极。