[发明专利]一种焊盘结构

说明书

本发明提供了一种焊盘结构。所述焊盘结构包括：接触结构和设置于所述接触结构之上以用于实现电连接的焊盘层，所述接触结构包括若干间隔设置的接触单元；至少其中一个所述接触单元与另一所述接触单元一体成型，以形成在所述焊盘层上投影面积增大的接触单元；或者，至少其中一个所述接触单元被纵切为N个部分，所述N个部分分别与N个所述接触单元一体成型，以形成N个在焊盘层上投影面积增大的接触单元，N大于或等于2。本发明由于接触结构在所述焊盘层上投影的总面积不变，因此在较大的电流下，其电流密度不会发生变化，不会引起接触结构的熔断，而且通过减少所述接触结构的数目可以减小所述接触结构侧壁的总面积，进而减小等离子体损伤效应。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种焊盘结构。

背景技术

对超大规模集成电路制造产业而言，随着MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)装置尺寸的不断减小，半导体制作工艺已经进入深亚微米时代，且向超深亚微米发展，此时，半导体器件可靠性越来越直接影响着制作的IC芯片的性能和使用寿命。

在半导体器件的制作过程中，干法刻蚀、离子注入以及化学气相沉积等诸多工艺步骤均会使用等离子体，理论上，所述等离子体对外呈电中性，也就是说，正离子和负离子的数量是相等的。但实际上进入到晶圆的局部区域内的正离子和负离子并不是等量的，这就导致产生大量游离的电荷，使得暴露在等离子体环境中的金属导线或多晶硅等导体就如同天线一样，收集这些游离的电荷。这些天线的长度越长，面积越大，收集到的电荷则越多。当这些天线收集到的电荷达到一定程度的时候，就会产生放电现象，上述放电现象就是通常所说的等离子体损伤(Plasma Induced Damage，PID)效应，也称作天线效应。

其中，在高压半导体器件中，通孔的尺寸通常大于常规器件中通孔的尺寸，以避免在大电流下将所述通孔燃断。但是随着通孔尺寸的变大，PID会损伤焊盘下方的器件，使器件的性能和良率降低，甚至失效。

基于上述原因，需要对目前所述半导体器件的制备方法做进一步的改进，以便消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了克服目前存在的问题，本发明实施例提供了一种焊盘结构，包括接触结构和设置于所述接触结构之上以用于实现电连接的焊盘层，所述接触结构包括若干间隔设置的接触单元；

至少其中一个所述接触单元与另一所述接触单元一体成型，以形成在所述焊盘层上投影面积增大的接触单元；或者，

至少其中一个所述接触单元被纵切为N个部分，所述N个部分分别与N个所述接触单元一体成型，以形成N个在所述焊盘层上投影面积增大的接触单元，N大于或等于2。

可选地，所述焊盘层包括中心区域和位于所述中心区域四周的边缘区域；

其中所述边缘区域中的每个所述接触单元在所述焊盘层上投影的面积大于所述中心区域中的每个所述接触单元在所述焊盘层上投影的面积。

可选地，所述接触结构中的接触单元排列成矩形阵列；

所述矩形阵列中，最外侧的接触单元即为所述边缘区域中的所述接触单元，其余的接触单元即为所述中心区域中的所述接触单元。

可选地，所述接触单元在所述焊盘层上投影的形状为方形或长宽不等的长方形。

可选地，所述边缘区域中的所述接触单元在所述焊盘层上投影的形状为四个顶角缺失的方形或长宽不等的长方形。

可选地，所述四个顶角缺失的部位在所述焊盘层上的投影呈平滑的曲线状。