[发明专利]一种多层金属层的蚀刻方法

说明书

本发明提供一种多层金属层的蚀刻方法，包括：在上层金属层表面上涂覆光阻层；对光阻层进行曝光显影，以在多层金属层表面上形成蚀刻区域；对多层金属层进行湿蚀刻，将蚀刻至预设位置的时间点作为湿蚀刻终点，该预设位置位于多层金属层的内部；停止湿蚀刻并将衬底基板进行干燥处理后，对预设位置以下的多层金属层部分进行干蚀刻并将其蚀刻完；剥离位于上层金属层上的光阻层，完成蚀刻操作；其中，湿蚀刻至预设位置时，光阻层下表面尚存在可维持其不脱落的上层金属层，光阻层尚覆盖在蚀刻区域外的上层金属层上。本发明可以在蚀刻完多层金属层后，保护好上层金属层，进而保证光阻层不会脱落。

【技术领域】

本发明涉及液晶显示领域，特别涉及一种多层金属层的蚀刻方法。

【背景技术】

液晶显示装置(LCD,Liquid Crystal Display)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。通常液晶显示面板包括CF(Color Filter)基板、TFT(Thin FilmTransistor)阵列基板、及设于CF基板与TFT阵列基板之间的液晶(Liquid Crystal)。通过给TFT阵列基板供电与否来控制液晶分子改变方向，将背光模组的光线投射到CF基板产生画面。TFT阵列基板的性能特征和运行特性部分很大程度上取决于形成TFT阵列基板各元件的材料。在TFT阵列基板上布有金属导线，TFT阵列基板中的金属导线是将物理气相沉积在TFT阵列基板上的金属层通过蚀刻工艺制成，该蚀刻工艺可分为干式蚀刻和湿式蚀刻。

随着TFT-LCD向着大尺寸，高分辨率方向发展，金属导线也从传统的铝导线变成铜导线，由于铜自身的性质，如容易扩散，与基板结合能力差等，在真正的制程中，往往不会使用单一的铜导线，而是使用多层金属或者金属合金，譬如说钼/铜/钼结构。

在这种结构里，铜作为主要的导电金属，厚度较厚，钼作为修饰层，厚度较薄，如上层钼的厚度为100-300A，铜的厚度为1000-8000A，下层钼的厚度为100-300A。这样的结构虽然对铜的保护很好，不过在蚀刻过程中由于不可避免的电化学反应，会造成蚀刻异常。具体来说，对于这种复合的膜层结构，接触蚀刻液的顺序依次为上层钼、铜和下层钼。当下层钼蚀刻干净，上层钼通常蚀刻干净，或几乎蚀刻干净，造成光阻无金属可附着，直接剥落，失去了光阻层的作用，如果希望光阻层不脱落而降低蚀刻时间，下层的钼会有残留，造成金属导电异常。

以上说的是使用湿蚀刻(湿刻)出现的问题，但是如果不使用湿蚀刻(湿蚀刻)而采用干蚀刻(DRY)，则会造成蚀刻之后的金属坡度角过于陡峭，后续膜层搭接会出现异常。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种多层金属层的蚀刻方法，以解决现有技术中，在蚀刻完多层金属层时，上层金属层被完全蚀刻，导致光阻层无金属附着而脱落，进而导致非蚀刻区域的多层金属层亦被蚀刻掉的问题。

本发明的技术方案如下：

一种多层金属层的蚀刻方法，所述多层金属层设于衬底基板上，其从上往下包括上层金属层、中层金属层及下层金属层，其特征在于，该蚀刻方法包括：

在所述上层金属层表面上涂覆光阻层；

对所述光阻层进行曝光显影，以在所述多层金属层表面上形成蚀刻区域；

对所述多层金属层进行湿蚀刻，将蚀刻至预设位置的时间点作为湿蚀刻终点，所述预设位置位于所述下层金属层的表面；

停止湿蚀刻并将所述衬底基板进行干燥处理后，对所述预设位置以下的所述多层金属层部分进行干蚀刻并将其蚀刻完；

剥离位于所述上层金属层上的所述光阻层，完成蚀刻操作；