[发明专利]一种电流减法器电路、芯片及通信终端在审
申请号: | 201710214430.7 | 申请日: | 2017-04-01 |
公开(公告)号: | CN106873698A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 林升;白云芳 | 申请(专利权)人: | 唯捷创芯(天津)电子技术股份有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙)11381 | 代理人: | 陈曦 |
地址: | 300457 天津市滨海*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电流 减法 电路 芯片 通信 终端 | ||
1.一种电流减法器电路,其特征在于包括电流镜电路、电流-电压转换电路,所述电流镜电路的输入端分别连接两条支路,所述电流镜电路的输出端与所述电流-电压转换电路连接。
2.如权利要求1所述的电流减法器电路,其特征在于:
所述电流镜电路采用威尔逊电流镜或共源共栅型电流镜,其中,所述威尔逊电流镜由三个NMOS晶体管组成,第一NMOS晶体管的源极与第二NMOS晶体管的源极串接在一起并与地线连接,所述第一NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的栅极连接,所述第二NMOS晶体管的栅极与所述第二NMOS晶体管的漏极短接,所述第二NMOS晶体管的漏极与第三NMOS晶体管的源极连接,所述第三NMOS晶体管的栅极与所述第一NMOS晶体管的漏极连接。
3.如权利要求2所述的电流减法器电路,其特征在于:
第一支路与所述第一NMOS晶体管的漏极连接,第二支路与所述第三NMOS晶体管的漏极连接,通过所述威尔逊电流镜实现对两条支路的电流差别的检测。
4.如权利要求3所述的电流减法器电路,其特征在于:
流经所述第三NMOS晶体管的电流与流经所述第一NMOS晶体管M1电流的大小相同。
5.如权利要求1所述的电流减法器电路,其特征在于:
所述电流-电压转换电路由运算放大器与电阻组成,所述电阻串接在所述运算放大器的反向输入端与输出端之间,所述运算放大器的正向输入端连接参考电压,所述运算放大器的反向输入端连接第三NMOS晶体管的漏极,用于将检测的两条支路的电流差别转换成电压进行输出。
6.如权利要求1所述的电流减法器电路,其特征在于:
所述电流减法器电路输出的电压表示为:Vout=Vref-(I2-I1)×R,其中,Vref为所述参考电压,I1为流经第一支路的电流,I2为流经第二支路的电流,R为电阻。
7.如权利要求6所述的电流减法器电路,其特征在于:
所述第二支路与所述第一支路的电流差值为流经电阻的电流。
8.一种集成电路芯片,其特征在于所述集成电路芯片中包括有权利要求1~7中任意一项所述的电流减法器电路。
9.一种通信终端,其特征在于所述通信终端中包括有权利要求1~7中任意一项所述的电流减法器电路。
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