[发明专利]晶体管面板在审
| 申请号： | 201710216809.1 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107342323A | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 李光洙;梁伸赫;金斗铉;金志训 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 康泉,宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 面板 | ||
1.一种晶体管面板，包括：
沟道区，包括第一金属的氧化物；
源极区和漏极区，各自包括所述第一金属，其中所述沟道区设置在所述源极区与所述漏极区之间，并且其中所述沟道区连接到所述源极区和所述漏极区；
绝缘层，设置在所述沟道区上；
上电极，设置在所述绝缘层上；
层间绝缘层，设置在所述上电极、所述源极区和所述漏极区上；以及
阻挡层，包括第一部分，所述第一部分设置在所述层间绝缘层与所述源极区和所述漏极区中的每个之间，其中所述阻挡层的所述第一部分与所述源极区和所述漏极区中的每个接触，
其中所述上电极和所述阻挡层各自包括第二金属。
2.根据权利要求1所述的晶体管面板，其中
所述阻挡层包括所述第二金属的氧化物。
3.根据权利要求2所述的晶体管面板，其中
包括在所述沟道区中的氧的浓度水平高于包括在所述源极区和所述漏极区中的每个中的氧的浓度水平。
4.根据权利要求3所述的晶体管面板，进一步包括设置在所述沟道区上的缓冲层，
其中所述阻挡层进一步包括设置在所述缓冲层与所述层间绝缘层之间的第二部分，并且其中所述阻挡层的所述第二部分与所述缓冲层接触。
5.根据权利要求4所述的晶体管面板，其中
所述阻挡层的所述第一部分的厚度大于所述阻挡层的所述第二部分的厚度。
6.根据权利要求5所述的晶体管面板，进一步包括设置在所述阻挡层的所述第二部分上的第一导体，
其中所述阻挡层的所述第二部分仅设置在所述第一导体与所述缓冲层之间。
7.根据权利要求4所述的晶体管面板，其中
所述阻挡层进一步包括设置在所述绝缘层与所述上电极之间的第三部分。
8.一种晶体管面板，包括：
沟道区，包括包含第一金属的氧化物；
源极区和漏极区，各自包括所述第一金属，其中所述沟道区设置在所述源极区与所述漏极区之间，并且连接到所述源极区和所述漏极区；
绝缘层，设置在所述沟道区上；
上电极，设置在所述绝缘层上；
层间绝缘层，设置在所述上电极、所述源极区和所述漏极区上；以及
阻挡层，包括第一部分和第二部分，其中所述阻挡层的所述第一部分设置在所述层间绝缘层与所述源极区和所述漏极区中的每个之间，其中所述阻挡层的所述第一部分与所述源极区和所述漏极区接触，并且其中所述阻挡层的所述第二部分设置在所述上电极与所述绝缘层之间。
9.根据权利要求8所述的晶体管面板，其中
所述阻挡层的厚度为50埃或者更小。
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