[发明专利]晶体管面板

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年4月29日提交到韩国知识产权局的韩国专利申请第10-2016-0053469号的优先权，其公开通过引用被整体合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及晶体管面板，更具体而言，涉及具有良好绝缘性的晶体管面板及其制造方法。

背景技术

晶体管被广泛用于诸如显示设备的电子设备中。晶体管可以包括栅电极和与栅电极重叠的半导体层。半导体层可以包括源极区和漏极区，该源极区和漏极区具有被设置于其间的沟道区。

半导体层可以包括具有良好的载流子迁移率(例如，电子迁移率)的各种元素。然而，当杂质流入半导体层时，半导体层的载流子迁移率可能被改变。半导体层的载流子迁移率的变化可能会导致晶体管面板的可靠性降低。

发明内容

本发明涉及一种晶体管面板，该晶体管面板包括通过防止包括氢和水分的杂质渗透到晶体管的半导体层中而具有增加的载流子迁移率以及增强的可靠性的晶体管，并且涉及一种在不增加光掩模的数量或不增加沉积工艺的情况下制造晶体管面板的方法。

另外，本发明涉及一种通过在不增加光掩模的数量或不执行额外的掺杂工艺的情况下形成金属氧化物半导体的一部分作为导电区来制造晶体管面板的方法，以及涉及一种在导电区中具有增加的载流子迁移率的晶体管面板。

根据本发明的示例性实施例，晶体管面板包括：沟道区，包括第一金属的氧化物；源极区和漏极区，各自包括第一金属，其中沟道区设置在源极区与漏极区之间，并且其中沟道区连接到源极区和漏极区；绝缘层，设置在沟道区上；上电极，设置在所述绝缘层上；层间绝缘层，设置在上电极、源极区和漏极区上；以及阻挡层，包括设置在层间绝缘层与源极区和漏极区中的每个之间的第一部分，其中阻挡层的第一部分与源极区和漏极区中的每个接触。上电极和阻挡层各自包括第二金属。

根据本发明的示例性实施例，晶体管面板包括：沟道区，包括包含第一金属的氧化物；源极区和漏极区，各自包括第一金属，其中沟道区设置在源极区与漏极区之间，并且连接到源极区和漏极区；绝缘层，设置在沟道区上；上电极，设置在绝缘层上；层间绝缘层，设置在上电极、源极区和漏极区上；以及阻挡层，包括第一部分和第二部分。阻挡层的第一部分设置在层间绝缘层与源极区和漏极区中的每个之间。阻挡层的第一部分与源极区和漏极区接触。阻挡层的第二部分设置在上电极与绝缘层之间。

根据本发明的示例性实施例，一种用于制造晶体管面板的方法包括：在基底上形成半导体图案，半导体图案包括第一金属的氧化物；在半导体图案上形成绝缘层；通过在半导体图案和绝缘层上设置第二金属材料来在半导体图案和绝缘层上形成金属层；通过还原半导体图案来形成源极区和漏极区；以及通过氧化金属层的下部来形成阻挡层，金属层的下部与半导体图案接触，其中阻挡层的第一部分与源极区和漏极区中的每个接触；通过对金属层进行蚀刻来在绝缘层上形成上电极；以及在上电极和阻挡层上形成层间绝缘层。

附图说明

通过结合附图来详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述以及其它特征将变得更加显而易见，附图中：

图1是根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的剖面图；

图2是根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的布局图；

图3是根据本发明的示例性实施例的包括在晶体管面板中的像素的电路图；

图4至图16是示出根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的制造方法的剖面图；

图17是根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的剖面图；

图18是示出根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的制造方法的剖面图；

图19是根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的剖面图；

图20至图24是示出根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的制造方法的剖面图；

图25是根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的剖面图；

图26是根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的布局图；

图27是根据本发明的示例性实施例的晶体管面板的剖面图；以及

图28和图29是示出根据本发明的示例性实施例的制造晶体管面板的方法的每个步骤的结构的剖面图。

具体实施方式

在下文中将参照附图来更全面地描述本发明。在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以以各种不同的方式来修改所描述的实施例。

在整个说明书中，相同的附图标记可以指代相同的元件。