[发明专利]一种半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，

位于所述半导体衬底中的第一掺杂区，

位于所述半导体衬底表面的第一区域的隔离层，

位于所述半导体衬底表面的第二区域的第一介质层，

具有图案化的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层的第一部分位于所述第一介质层上，所述第一多晶硅层的第二部分位于所述隔离层上，所述多晶硅层的第一部分与第二部分为分离的两部分，

其中，所述第一掺杂区用作第一电容的下极板，所述第一多晶硅层的第一部分用作所述第一电容的上极板，所述第一多晶硅层的第二部分用作多晶硅电阻。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

位于所述第一多晶硅的第一部分上的第二介质层，

位于所述第二介质层上的第二多晶硅层，

所述第一多晶硅层的第一部分还用作第二电容的下极板，所述第二多晶硅层用作所述第二电容的上极板。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

与所述第一掺杂区电连接的第一电极，

与所述第一多晶硅层的第一部分电连接的第二电极，

与所述第二多晶硅层电连接的第三电极，

分别与所述第一多晶硅层的第二部分的两端电连接的第四电极和第五电极。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电容为MOS电容。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一电极与第三电极电连接。

6.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

在半导体衬底表面的第一区域上形成隔离层，

在所述半导体衬底表面依次形成第一介质层和第一多晶硅层，

图案化所述第一多晶硅层，使得所述第一多晶硅层形成两个彼此分离的第一部分和第二部分，且使得所述第一多晶硅层的第一部分位于所述半导体衬底表面的第二区域上的所述第一介质层上，所述第一多晶硅层的第二部分位于所述隔离层上，

在所述半导体衬底中形成第一掺杂区，

其中，所述第一掺杂区用作第一电容的下极板，所述第一多晶硅层的第一部分用作所述第一电容的上极板，所述第一多晶硅层的第二部分用作多晶硅电阻。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在所述第一多晶硅层的第一部分上形成第二介质层，

以及在所述第二介质层上形成第二多晶硅层，使得所述第一多晶硅层的第一部分还用作第二电容的下极板，所述第二多晶硅层用作所述第二电容的上极板。

8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：

形成与所述第一掺杂区电连接的第一电极，

形成与所述第一多晶硅层的第一部分电连接的第二电极，

形成与所述第二多晶硅层电连接的第三电极，

形成分别与所述第一多晶硅层的第二部分的两端电连接的第四电极和第五电极。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第一多晶硅层之后，且在图案化所述第一多晶硅层之前，对所述第一多晶硅层进行离子注入工艺处理，以调节所述第一多晶硅层的掺杂浓度。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，还包括：

在图案化所述第一多晶硅层之后，对所述第一多晶硅层的第二部分进行离子注入工艺，以调节所述第一多晶硅层的第二部分的掺杂浓度。