[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201710217836.0 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN107290904B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 金润暲;任完淳;金成烈;李润锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 弋桂芬 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
基底基板,包括显示图像的多个像素区域;
遮光图案,在所述基底基板上;
薄膜晶体管,在所述遮光图案上;
栅线和数据线,其每个连接到所述薄膜晶体管;以及
像素电极,在所述像素区域的每个中,所述像素电极在第一方向上的尺寸大于所述像素电极在与所述第一方向交叉的第二方向上的尺寸,
其中所述栅线和所述数据线当中的一条线具有沿着所述像素电极的较大尺寸延伸的长度,
所述栅线和所述数据线当中的另一条线具有沿着所述像素电极的较小尺寸延伸的长度,
在所述第二方向上:
第一像素电极与第二像素电极相邻并与其间隔开,以及
具有沿着所述像素电极的较大尺寸延伸的长度的所述一条线与所述第一像素电极间隔开并与所述第二像素电极交叠,以及
所述遮光图案包括:
第一遮光图案,限定其沿着所述像素电极的较大尺寸延伸的长度,
沿着所述第二方向,所述第一遮光图案与所述第二像素电极间隔开并与所述第一像素电极和具有沿着所述像素电极的较大尺寸延伸的长度的所述一条线交叠;和
第二遮光图案,其一部分与所述薄膜晶体管交叠,所述第二遮光图案具有第一边缘和第二边缘,所述第一边缘和所述第二边缘在所述像素电极和具有沿着所述像素电极的较小尺寸延伸的长度的所述另一条线之间沿所述第二方向延伸,
所述第二遮光图案的所述第一边缘与具有沿着所述像素电极的较小尺寸延伸的长度的所述另一条线相邻并与其间隔开,
所述第二遮光图案的所述第二边缘与所述像素电极相邻并与其间隔开,以及
所述薄膜晶体管设置在所述第二遮光图案的所述第一边缘和所述第二边缘之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中在俯视平面图中,所述第一遮光图案设置在具有沿着所述像素电极的较大尺寸延伸的长度的所述一条线和与其间隔开的所述第一像素电极之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置,还包括设置在所述薄膜晶体管以及所述栅线和所述数据线当中的具有沿着所述像素电极的较小尺寸延伸的长度的所述另一条线上的黑矩阵,所述黑矩阵限定其在所述第二方向上延伸的长度。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中
具有沿着所述像素电极的较大尺寸延伸的长度的所述一条线是所述栅线,
具有沿着所述像素电极的较小尺寸延伸的长度的所述另一条线是所述数据线,以及
所述薄膜晶体管包括:
半导体层,在所述基底基板上;
栅电极,从所述栅线分支出来并设置在所述半导体层上;
源电极,从所述数据线分支出来并连接到所述半导体层;和
漏电极,与所述源电极间隔开并连接到所述半导体层。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述半导体层分别设置在所述遮光图案与所述源电极和所述漏电极之间。
6.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述源电极和所述漏电极均设置在所述遮光图案和所述半导体层之间。
7.根据权利要求4所述的显示装置,其中所述半导体层包括从锌氧化物、锌锡氧化物、锌铟氧化物、铟氧化物、钛氧化物、铟镓锌氧化物和铟锌锡氧化物选择的至少一种。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一遮光图案和所述第二遮光图案在其间的相交区域处彼此连接。
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