[发明专利]显示装置

说明书

本发明提供一种显示装置，该显示装置包括：基底基板，包括在该处显示图像的像素区域；在基底基板上的遮光图案；在遮光图案上的薄膜晶体管；栅线，连接到薄膜晶体管并在第一方向上纵长地延伸；数据线，连接到薄膜晶体管并在第二方向上纵长地延伸；以及像素电极，在像素区域中并在第二方向上与栅线间隔开。遮光图案包括：第一遮光图案，在第一方向上纵长地延伸；和第二遮光图案，与薄膜晶体管交叠。第一遮光图案交叠在第二方向上彼此间隔开的栅线和像素电极。

技术领域

本发明的示范性实施方式涉及一种液晶显示(“LCD”)装置，更具体地，涉及一种能够有效地减少在像素电极和信号线之间发生的光泄漏并且其中开口率被改善的LCD装置。

背景技术

基于显示装置的发光方案，显示装置分为液晶显示(“LCD”)装置、有机发光二极管(“OLED”)显示装置、等离子体显示面板(“PDP”)装置、电泳显示(“EPD”)装置等等。

LCD装置包括：显示基板，包括形成在其中的电极；相对基板；以及在显示基板和相对基板之间的液晶层。此外，为了限定多个像素区域，LCD装置采用其中遮光构件设置在显示基板和相对基板中的一个上的结构或者其中屏蔽电极设置在像素电极之间的结构。

发明内容

本发明的示范性实施方式针对一种显示装置，具体地，针对能够有效地减少像素电极和信号线之间的光泄漏并且其中开口率被改善的液晶显示(“LCD”)装置。

根据本发明的一示范性实施方式，一种显示装置包括：基底基板，包括显示图像的像素区域；在基底基板上的遮光图案；在遮光图案上的薄膜晶体管；栅线，连接到薄膜晶体管并限定其在第一方向上延伸的长度；数据线，连接到薄膜晶体管并限定其在与第一方向交叉的第二方向上延伸的长度；以及像素电极，在像素区域中并在第二方向上与栅线间隔开。遮光图案包括：第一遮光图案，限定其在第一方向上延伸的长度；和第二遮光图案，与薄膜晶体管交叠。第一遮光图案与在第二方向上彼此间隔开的栅线和像素电极交叠。

在一示范性实施方式中，在俯视平面图中，第一遮光图案可以设置在彼此间隔开的像素电极和栅线之间。

在一示范性实施方式中，第二遮光图案可以不与数据线交叠。

在一示范性实施方式中，液晶显示装置还可以包括设置在薄膜晶体管和数据线上并限定其在第二方向上延伸的长度的黑矩阵。

在一示范性实施方式中，像素电极可以限定其在第一方向上的大于其在第二方向上的尺寸的长度尺寸。

在一示范性实施方式中，薄膜晶体管可以包括：在基底基板上的半导体层；从栅线分支出来并设置在半导体层上的栅电极；从数据线分支出来并连接到半导体层的源电极；以及与源电极间隔开并连接到半导体层的漏电极。

在一示范性实施方式中，半导体层可以分别在遮光图案与源电极和漏电极之间。

在一示范性实施方式中，源电极和漏电极每个设置在遮光图案和半导体层之间。

在一示范性实施方式中，半导体层可以包括从锌氧化物(“ZnO”)、锌锡氧化物(“ZTO”)、锌铟氧化物(“ZIO”)、铟氧化物(“InO”)、钛氧化物(“TiO”)、铟镓锌氧化物(“IGZO”)和铟锌锡氧化物(“IZTO”)选择的至少一种。

在一示范性实施方式中，第一遮光图案和第二遮光图案可以在其间的相交区域处彼此连接。

在一示范性实施方式中，第一遮光图案和第二遮光图案可以在其间的虚拟相交区域处彼此分离。

在一示范性实施方式中，像素电极可以包括十字形主干(stem)部分和从十字形主干部分延伸的分支部分。

在一示范性实施方式中，遮光图案还可以包括设置在基底基板上并与像素电极的十字形主干部分交叠的第三遮光图案。