[发明专利]一种显示器件的制备方法及显示器件

权利要求书

1.一种显示器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域；

于所述半导体衬底上制备第一栅极绝缘层；

在位于所述边缘区域中的所述第一栅极绝缘层之上形成金属线；

沉积第二栅极绝缘层覆盖所述金属线及所述第一栅极绝缘层暴露的表面；

制备介质层覆盖所述第二栅极绝缘层的表面；

刻蚀所述介质层至所述金属线的上表面，以形成将所述金属线的部分上表面予以暴露的第一凹槽；

于所述边缘区域制备所述显示器件的电极电源线；其中

所述金属线与所述电极电源线通过所述第一凹槽电连接，以降低所述电极电源线通电时的压降；

所述方法还包括：

制备数据线覆盖所述第一凹槽的底部及侧壁，且所述数据线还延伸覆盖所述介质层部分上表面；

沉积平坦化薄膜层覆盖所述介质层暴露的表面及所述数据线暴露的表面，且该平坦化薄膜还充满所述第一凹槽；

刻蚀所述平坦化薄膜层至所述数据线的表面，以形成第二凹槽，且所述第二凹槽将位于所述第一凹槽中的所述数据线的表面予以暴露；

制备像素电极覆盖所述第二凹槽的底部及侧壁，且所述像素电极还延伸覆盖所述平坦化薄膜层部分上表面；

沉积像素定义层覆盖所述平坦化薄膜层暴露的表面及所述像素电极暴露的表面，且所述像素定义层还充满所述第二凹槽。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，部分所述电极电源线于所述第一凹槽内与所述金属线接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

刻蚀所述像素定义层至所述像素电极的表面，以形成第三凹槽，且所述第三凹槽将位于所述平坦化薄膜层上的所述像素电极的部分表面予以暴露。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底包括基板和设置在所述基板上表面的缓冲层，且所述缓冲层位于所述基板和所述第一栅极绝缘层之间。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介质层包括氮化硅层和氧化硅层，且所述氮化硅层位于所述氧化硅层和所述第二栅极绝缘层之间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属线呈U型围绕所述显示区域。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属线采用栅极金属层制备。

8.根据权利要求1-7中任意一项所述的方法制备的显示器件，其特征在于，包括：

具有显示区域的半导体衬底；

第一栅极绝缘层，设置于所述半导体衬底之上；

金属线，设置在所述第一栅极绝缘层之上，且所述金属线围绕所述半导体衬底的显示区域；

第二栅极绝缘层，设置在所述金属线表面和所述第一栅极绝缘层暴露的上表面；

介质层，覆盖在所述第二栅极绝缘层的上表面；

第一凹槽，贯通所述介质层和所述第二栅极绝缘层至所述金属线上表面；

数据线，覆盖在所述第一凹槽侧壁和所述金属线上表面，且所述数据线延伸覆盖部分所述介质层上表面；

平坦化薄膜层，覆盖在所述介质层暴露的上表面和数据线；

第二凹槽，贯通所述平坦化薄膜层将部分数据线暴露；

像素电极，覆盖在所述第二凹槽侧壁及被第二凹槽暴露的数据线表面，并延伸覆盖部分所述平坦化薄膜层；

像素定义层，覆盖在所述平坦化薄膜层暴露的表面和所述像素电极暴露的表面，且所述像素定义层充满所述第二凹槽；

第三凹槽，暴露部分覆盖在所述平坦化薄膜层上的所述像素电极。

9.根据权利要求8所述的显示器件，其特征在于，所述介质层包括氧化硅层和氮化硅层，且所述氮化硅层位于所述氧化硅层和所述第二栅极绝缘层之间。