[发明专利]一种显示器件的制备方法及显示器件有效
申请号: | 201710218358.5 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN108695357B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 周思思 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201506 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 器件 制备 方法 | ||
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示器件的制备方法及显示器件。本申请设计的一种显示器件及其制备方法,因为电极电源线是由数据线和像素电极组成的,这样会产生比较大的压降,为了降低压降,在电极电源线下垫一圈金属线,金属线和电极电源线并联,降低了原先电极电源线的电阻,这样就可以减小电极电源线的压降,提升整个显示器件的显示质量。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示器件的制备方法及显示器件。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示屏具有自发光、功耗低、反应速度较快、对比度更高和视角较广等特点,因此,AMOLED显示面板在显示技术领域具有广泛的应用前景。
但是目前为了减小OLED显示器件的左右边框尺寸,显示区外侧的ELVSS通常被设为较小宽度,但是线宽变窄后导致ELVSS电阻增大,将导致电流与电阻的乘积或电压降的增加,从而使显示屏降低了显示画面的品质。
发明内容
根据现有市面上传统的显示器件的技术中存在的缺陷,现提供一种显示器件制备方法,具体包括:
一种显示器件的制备方法,其中,包括:
提供一半导体衬底,所述半导体衬底具有显示区域和围绕所述显示区域的边缘区域;
于所述半导体衬底上制备第一栅极绝缘层;
在位于所述边缘区域中的所述第一栅极绝缘层之上形成金属线;
沉积第二栅极绝缘层覆盖所述金属线及所述第一栅极绝缘层暴露的表面;
制备介质层覆盖所述第二栅极绝缘层的表面;
刻蚀所述介质层至所述金属线的上表面,以形成将所述金属线的部分上表面予以暴露的第一凹槽;
于所述边缘区域制备所述显示器件的电极电源线;其中
所述金属线与所述电极电源线通过所述第一凹槽电连接,以降低所述电极电源线通电时的压降。
上述的方法,其中,部分所述电极电源线于所述第一凹槽内与所述金属线接触。
上述的方法,其中,所述方法还包括:
制备数据线覆盖所述第一凹槽的底部及侧壁,且所述数据线还延伸覆盖所述介质层部分上表面;
沉积平坦化薄膜层覆盖所述介质层暴露的表面及所述数据线暴露的表面,且该平坦化薄膜还充满所述第一凹槽;
刻蚀所述平坦化薄膜层至所述数据线的表面,以形成第二凹槽,且所述第二凹槽将位于所述第一凹槽中的所述数据线的表面予以暴露;
制备像素电极覆盖所述第二凹槽的底部及侧壁,且所述像素电极还延伸覆盖所述平坦化薄膜层部分上表面;
沉积像素定义层覆盖所述平坦化薄膜层暴露的表面及所述像素电极暴露的表面,且所述像素定义层还充满所述第二凹槽。
上述的方法,其中,所述方法还包括:
刻蚀所述像素定义层至所述像素电极的表面,以形成第三凹槽,且所述第三凹槽将位于所述平坦化薄膜层上的所述像素电极的部分表面予以暴露。
上述的方法,其中,所述半导体衬底包括基板和设置在所述基板上表面的缓冲层,且所述缓冲层位于所述基板和所述第一栅极绝缘层之间。
上述的方法,其中,所述介质层包括氮化硅层和氧化硅层,且所述氮化硅层位于所述氧化硅层和所述第二栅极绝缘层之间。
上述的方法,其中,所述金属线呈U型围绕所述显示区域。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的