[发明专利]化学气相沉积装置有效
| 申请号： | 201710218369.3 | 申请日： | 2017-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107083543B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 王国超 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 44265 深圳市德力知识产权代理事务所 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 挡板 化学气相沉积装置 沉积槽 半板 机台 改造 沉积薄膜 区域设置 阵列基板 中轴线 重合 沉积 制作 购买 投资 | ||
1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括：支撑基座(13)、平铺在所述支撑基座(13)一侧上的待沉积的半板(12)、及设于所述待沉积的半板(12)上且遮挡该待沉积的半板(12)的四周边缘的挡板(11)；
所述挡板(11)对应待沉积的半板(12)的区域设有沉积槽(111)，所述沉积槽(111)用于确定待沉积的半板(12)的薄膜沉积区域；
所述沉积槽(111)的一边与挡板(11)的中轴线重合，剩余的三边与挡板(11)的相应边的距离相同；
所述挡板(11)的四周边缘的厚度比挡板(11)的剩余部分的厚度大；
所述挡板(11)的四周边缘的厚度至少是挡板(11)的剩余部分的厚度的三倍。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述挡板(11)与沉积槽(111)的形状均为矩形。
3.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述待沉积的半板(12)平铺在支撑基座(13)的左侧，所述沉积槽(111)位于挡板(11)的左侧。
4.如权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述待沉积的半板(12)平铺在支撑基座(13)的右侧，所述沉积槽(111)位于挡板(11)的右侧。
5.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述挡板(11)与待沉积的半板(12)的边缘的重叠区域(e1)的宽度为2mm-8mm。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述挡板(11)的材料为陶瓷或纯铝。
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C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
