[发明专利]硬掩模用组合物

说明书

本发明涉及硬掩模用组合物，更详细而言，所述硬掩模用组合物通过包含分子内含有两个以上叔醇基的化合物和溶剂，能够形成耐热性优异的下层膜(硬掩模)。

技术领域

本发明涉及硬掩模用组合物。

背景技术

微电子学产业和微观结构物(例如，微机械、磁阻(magnetoresist)磁头等)等产业领域中，持续要求减小结构形状的大小。此外，微电子学产业中，存在如下要求：减小微电子设备的大小，对指定的芯片大小提供更多的电路。

为了减小形状大小，有效的光刻技术是必不可少的。

就典型的光刻工序而言，首先，在下层材料上涂布抗蚀剂后，进行射线曝光，形成抗蚀剂层。接着，将抗蚀剂层用显影液进行显影而形成图案化的抗蚀剂层，对存在于图案化的抗蚀剂层的开口部内的物质进行蚀刻，将图案转印至下层材料。转印结束后，伴随如下过程：使感光性抗蚀剂以图案方式暴露，形成图案化的抗蚀剂层。接着，通过使暴露的抗蚀剂层与任意物质(典型地为水性碱显影液)接触，从而使图像显影。接着，通过对存在于图案化的抗蚀剂层的开口部内的物质进行蚀刻，使图案转印至下层材料。转印结束后，去除残留的抗蚀剂层。

为了使抗蚀剂层与下层材料之间的反射性最小化，上述光刻工序的大部分工序中使用抗反射涂层(anti-refractive coating；ARC)来增加分辨率。但是，在图案化后，将抗反射涂层蚀刻的工序中，抗蚀剂层也被大量消耗，有可能在后续蚀刻步骤中需要追加图案化。

换言之，在一部分光刻图像化工序的情况下，所使用的抗蚀剂有时对于蚀刻步骤不具有足以使预定的图案有效地转印至下层材料的程度的充分的耐受性。因此，对于需要极薄地使用抗蚀剂物质的超薄膜抗蚀剂层的情况，对于想要蚀刻处理的基板厚的情况，对于要求蚀刻深度深的情况或者对于预定的下层材料中需要使用特定的蚀刻剂(etchant)的情况等中，使用了抗蚀剂下层膜。

抗蚀剂下层膜在抗蚀剂层与可从图案化的抗蚀剂通过转印而图案化的下层材料之间发挥中间层的作用，该抗蚀剂下层膜需要耐受从图案化的抗蚀剂层接受图案、使图案转印至下层材料时所需的蚀刻工序。

为了形成这样的下层膜，尝试了很多材料，但仍持续要求对下层膜组合物的改进。

以往，用于形成下层膜的材料难以涂布于基板，因此利用例如化学或物理蒸镀、特殊溶剂或高温烧成，但它们存在花费很大的问题。由此，近年来，进行着关于无需实施高温烧成的可利用旋转涂布方法来涂布的下层膜组合物的研究。

此外，进行着关于下述下层膜组合物的研究：在能够将形成于上部的抗蚀剂层作为掩模而容易被选择性地蚀刻的同时，特别是在下层为金属层的情况下，对于将下层膜作为掩模而使下层图案化时所需的蚀刻工序具有耐受性。

韩国公开专利第10-2010-0082844号公开了关于抗蚀剂下层膜形成组合物的技术。

现有技术文献

专利文献

韩国公开专利第10-2010-0082844号

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于，提供能够形成耐热性优异的抗蚀剂下层膜(硬掩模)的硬掩模用组合物。

解决课题的方法

1.一种硬掩模组合物，其包含分子内含有两个以上叔醇基的化合物和溶剂。

2.如上述1所述的硬掩模组合物，上述化合物为选自下述化学式1～化学式3所表示的化合物组成的组中的至少一种：

[化学式1]

(式中，n为1～10，