[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 201710223454.9 | 申请日: | 2017-04-07 |
公开(公告)号: | CN107452763B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 车南煹;金容一;朴永洙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L21/82 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,包括:
单个半导体芯片,所述单个半导体芯片包括:
多个发光二极管,每个发光二极管包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和设置在所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间的有源层,所述多个发光二极管包括第一组发光二极管和第二组发光二极管;
第一布线,作为第一电节点的部分共同地连接所述第一组发光二极管的每个发光二极管的第一导电类型半导体层;
第二布线,作为第二电节点的部分共同地连接所述第二组发光二极管的每个发光二极管的第一导电类型半导体层;
第三布线,作为第三电节点的部分共同地连接所述第一组的第一发光二极管的第二导电类型半导体层和所述第二组的第一发光二极管的第二导电类型半导体层;
第四布线,作为第四电节点的部分共同地连接所述第一组的第二发光二极管的第二导电类型半导体层和所述第二组的第二发光二极管的第二导电类型半导体层;
第一芯片垫、第二芯片垫、第三芯片垫和第四芯片垫,分别电连接到所述第一电节点、所述第二电节点、所述第三电节点和所述第四电节点,
其中所述第一电节点、所述第二电节点、所述第三电节点和所述第四电节点彼此不同。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第一芯片垫、所述第二芯片垫、所述第三芯片垫和所述第四芯片垫的每个包括在所述多个发光二极管中的至少两个下面延伸的连续的外表面区域。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:
发射红光的子像素、发射蓝光的子像素和发射绿光的子像素,
其中所述第一组发光二极管包括六个发光二极管,该六个发光二极管的每个形成所述发射红光的子像素中的第一两个子像素、所述发射蓝光的子像素中的第一两个子像素和所述发射绿光的子像素中的第一两个子像素中的对应一个的一部分,
其中所述第二组发光二极管包括六个发光二极管,该六个发光二极管的每个形成所述发射红光的子像素中的第二两个子像素、所述发射蓝光的子像素中的第二两个子像素和所述发射绿光的子像素中的第二两个子像素中的对应一个的一部分。
4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中所述第一芯片垫、所述第二芯片垫、所述第三芯片垫和所述第四芯片垫的每个包括在所述多个发光二极管中的至少三个下面延伸的连续的外表面区域。
5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中所述第一芯片垫、所述第二芯片垫、所述第三芯片垫和所述第四芯片垫的每个的所述外表面区域在所述多个发光二极管中的三个下面延伸。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中所述第一芯片垫、所述第二芯片垫、所述第三芯片垫和所述第四芯片垫的每个的所述外表面区域在发射红光的子像素、发射蓝光的子像素和发射绿光的子像素下面延伸。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,
其中所述第一组发光二极管和所述第二组发光二极管被局限到所述半导体芯片的连续区域并且是位于所述连续区域内的仅有的发光二极管,并且
其中所述第一芯片垫、所述第二芯片垫、所述第三芯片垫和所述第四芯片垫是位于所述连续区域内的仅有的芯片垫。
8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述连续区域是矩形的。
9.根据权利要求7所述的半导体器件,其中所述连续区域是凸多边形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710223454.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的