[发明专利]一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法

权利要求书

1.一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：以ITO气化合金粉为原料，加入助剂和水球磨后造粒并压制成坯体，将坯体放入烧结炉后先对烧结炉内进行抽真空，然后逐步控制升温，当升温至脱脂温度后，立即向炉内通入氧气，在0.03—0.05MPa的氧气压力条件下保温脱脂，脱脂后逐步升高氧气压力至0.08—0.1MPa，同时逐步升温至烧结温度进行保温烧结，烧结后降温并停止通氧得到ITO溅射靶。

2.如权利要求1所述的一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：所述的ITO气化合金粉为铟锡合金经电弧高温气化后，在氧气环境下反应生成的ITO粉末。

3.如权利要求1或2所述的一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：所述ITO气化合金粉中二氧化锡含量为8.5—10.5wt%。

4.如权利要求1所述的一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：所述脱脂温度为650—750℃，脱脂保温时间为4—8小时。

5.如权利要求1或4所述的一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：在升至脱脂温度之前，先升温至120—180℃保温3—5小时。

6.如权利要求5所述的一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：先以0.5—1.5℃/min的升温速率升温至120—180℃保温3—5小时，再以3—5℃/min的升温速率升温至650—750℃保温4—8小时进行脱脂。

7.如权利要求1所述的一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：脱脂后先以6—10℃/min的升温速率升温至1250—1350℃，氧气压力升高至0.04—0.08MPa保温4—8小时，之后再升温至1550℃，氧气压力升高至0.08—0.1MPa保温烧结6—10小时。

8.如权利要求1所述的一种控制氧含量制备TFT-LCD用ITO溅射靶的方法，其特征在于：所述助剂为表面活性剂和粘结剂，所述ITO气化合金粉原料与助剂和水混合球磨成固含量50—60%的浆料，然后造粒成实心球形造粒粉，以60—100MPa的压力对造粒粉模压成型，保压时间300—600秒，模压成型后的初坯在200—300MPa的条件下进行冷等静压制成坯体，保压时间300—600秒。