[发明专利]光掩模坯基板收纳容器、光掩模坯基板的保管方法以及光掩模坯基板的输送方法在审
申请号: | 201710224861.1 | 申请日: | 2017-04-07 |
公开(公告)号: | CN107272328A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 伊藤祥刚;小板桥龙二 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/66 | 分类号: | G03F1/66;H01L21/673 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 李英艳,张永康 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光掩模坯基板 收纳 容器 保管 方法 以及 输送 | ||
技术领域
本发明涉及一种光掩模坯基板收纳容器、光掩模坯基板的保管方法以及光掩模坯基板的输送方法。
背景技术
半导体等设计电路的设计规则正逐年推进电路进一步微细化。形成电路所需的光掩模的线宽、形状、间距等电路图案所要求的条件也随之越来越严苛。
作为电路的形成方法,以前是使用光刻法,但是大多使用适应更短波长、更高分辨率的化学放大型抗蚀剂,作为用于应对这种微细化的抗蚀剂材料。
使用化学放大型抗蚀剂的光刻法是如下所述的方法:利用准分子激光等光照射或者电子束的照射,生成该抗蚀剂材料中的催化剂物质,并按以下步骤进行热处理,由此该催化剂物质与高分子进行反应,使光或电子照射部分可溶(正型)或不溶化(负型),从而获得所需电路图案。
以前,关于掩模坯基板收纳容器(以下仅称作收纳容器),其保管、搬送在照射光或电子束之前就已涂布有此抗蚀剂材料的光掩模坯基板,由于容易输送、搬送,因此理想为轻量,另外从可以低价且大量地制造等方面来看,使用以各种高分子系材料为基材并根据射出成型等制造而成的收纳容器。
但是,由这些高分子系材料构成的收纳容器产生的各种挥发性成分,在保管和输送光掩模坯基板过程中,会对已涂布在光掩模坯基板上的光致抗蚀剂材料的催化作用、其增溶作用或不溶化作用带来稍微的影响,使根据光或电子束照射及热处理、显影而形成的光掩模坯基板上的抗蚀剂图案产生例如放大、缩小线宽等尺寸变化,结果产生无法获得与设计一样的图案这样的缺陷。
针对这种由高分子系材料引起的问题,业界着眼于排气中的己内酰胺,提出一种由热塑性树脂构成的收纳容器,所述热塑性树脂中以正癸烷换算,己内酰胺量在每一树脂重量份中为0.01ppm以下(例如参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第WO2015/037176号。
发明内容
但是,近年来,抗蚀剂所要求的分辨率、对比度性能日益提高,逐渐了解到现有的光掩模坯基板收纳容器对抗蚀剂图案的尺寸变动控制尚不充分。此外,以前作为抑制对抗蚀剂图案的影响的技术方案,是着眼于控制由收纳容器排出的排气,但本发明人进行调查后可知,不仅是由上述塑料制收纳容器产生的挥发性有机物成分,而且由收纳容器的密封带产生的挥发成分也会对光掩模坯基板上的抗蚀剂图案造成影响。
即,可知需要控制用于保管或输送光掩模坯基板的收纳容器及其密封带的排气,并需要进一步改善收纳容器与密封带的组合。
本发明是为了解决上述问题而完成的,其目的在于,提供一种光掩模坯基板收纳容器,所述收纳容器可以抑制对所收纳的光掩模坯基板上的抗蚀剂图案的影响,并且可以保管、输送光掩模坯基板。
为了实现上述目的,根据本发明,提供一种光掩模坯基板收纳容器,用于收纳光掩模坯基板,所述光掩模坯基板收纳容器的特征在于,具备:
内部构件,其具有内部盒体与保持构件,所述内部盒体可以收容所述光掩模坯基板,所述保持构件从上方固定已收纳在该内部盒体中的所述光掩模坯基板;
容器本体,其具有下箱与上盖,所述下箱可以收容所述内部盒体,所述上盖可以在内侧嵌合所述保持构件;以及,
密封带,其密封该容器本体;
其中,所述容器本体和所述内部构件由高分子系材料构成,所述高分子材料在采取0.1g样品时在以40℃保持60分钟的情况下释放的排气成分中,根据气相色谱质谱仪检测到的排气总量以正十四烷换算为1.9×103ng以下,
所述密封带在采取10mm×10mm尺寸的样品时在以150℃保持10分钟的情况下释放的排气成分中,根据气相色谱质谱仪检测到的排气总量以正十四烷换算为1.8×103ng以下。
如果是这种光掩模坯基板收纳容器,可以抑制由容器本体、内部构件及密封带产生的挥发性有机成分对抗蚀剂图案造成的影响,并且可以保管、输送光掩模坯基板。
此时优选为,所述容器本体和所述内部构件由高分子系材料构成,所述高分子材料在采取0.1g样品时在以40℃保持60分钟的情况下释放的排气成分中,根据气相色谱质谱仪检测到的排气总量以正十四烷换算为500ng以下,
所述密封带在采取10mm×10mm尺寸的样品时在以150℃保持10分钟的情况下释放的排气成分中,根据气相色谱质谱仪检测到的排气总量以正十四烷换算为1.0×103ng以下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710224861.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备