[发明专利]改进的氧化石墨烯的制备方法在审
申请号: | 201710230413.2 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN106915741A | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 钟玲珑 | 申请(专利权)人: | 深圳市佩成科技有限责任公司 |
主分类号: | C01B32/198 | 分类号: | C01B32/198 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改进 氧化 石墨 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种改进的氧化石墨烯的制备方法,属于高介电材料制备领域。
背景技术
高介电材料是一种应用前景非常广泛的绝缘材料,由于它有着很好的储存电能和均匀电场的性能,因而在电子、电机和电缆行业中都有非常重要的应用。随着电容器、谐振器、滤波器、存储器等众多重要电子器件向高性能化和尺寸微型化方向的发展,高介电材料受到越来越多的关注。目前,高介电材料广泛应用,传统的陶瓷材料脆性大、加工温度高、损耗大;聚合物材料具有优良的加工性能,但是通常介电常数又较低。
目前大部分高介电材料都有各自的局限,聚合物质轻、易加工、具有多尺度结构和特殊柔韧性等特性,使得聚合物基复合材料作为新型的高介电材料被广泛研究。为改善聚合物基复合材料的综合介电性能,包括最大限度地提高材料介电常数、降低介电损耗以及保证材料的介电强度等,我们采用聚合物与石墨烯复合的方法。石墨烯是由碳原子以sp2杂化连接的单原子层构成的新型二维原子晶体,其以其优良的力学、电学、光学等性能成为纳米材料研究的热点。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足之处,本发明的目的在于提供一种改进的氧化石墨烯的制备方法。
本发明的目的是为了克服传统制备方法制备的材料的不足,提供了一种改进的氧化石墨烯的制备方法。为了达到上述目的,本发明采取了以下技术方案:
本发明提供了一种改进的氧化石墨烯的制备方法,包括以下步骤:
步骤一、预氧化,对浓硫酸加热,加入过硫酸钾和五氧化二磷,控制温度并进行搅拌直至反应物全部溶解。将反应体系的温度降低后加入石墨粉,将反应物在水浴下搅拌加热,然后将其冷却至室温,稀释后将所得的产物在室温下搅拌过夜;
步骤二、洗涤干燥,抽滤所得产物,并进行洗涤,直至最后一次抽滤所得的溶液为中性,然后将砂芯漏斗上的固体蒸发为半干状态;
步骤三、氧化,将浓硫酸倒入,并用冰水浴冷却,然后依次将上述产物和高锰酸钾缓慢地加入并不停搅拌,保持反应体系的温度,直至反应物完全溶解;
步骤四、终止反应,向反应体系中加入去离子水,控制反应体系的温度,将反应物移出,再加入去离子水并进行搅拌反应;
步骤五、去除高锰酸钾,向反应体系中加入过氧化氢,继续搅拌后静置过夜;
步骤六、洗涤浓缩,除去上清液,用HCl溶液冲洗,然后再用去离子水冲洗,直至所得的溶液为中性,再将所得的产物用离心机离心,得到高浓度的氧化石墨;
步骤七、超声透析,将所得的氧化石墨加水稀释,然后进行超声处理,并透析一到两周,即得到黄褐色的均一分散的单层氧化石墨稀溶液。
优选的,上述步骤一中所述浓硫酸为25 mL,所述过硫酸钾和五氧化二磷各为5 g。
优选的,上述步骤一中将反应体系的温度降低到80℃,再加入6 g石墨粉,出现泡沫,泡沫在30 min内逐渐消退。
优选的,上述步骤一中将反应物在80℃水浴下搅拌加热4.5 h,然后将其冷却至室温,用1 L去离子水稀释,将所得的产物在室温下搅拌过夜。
优选的,上述步骤三后将水浴升温至35℃,使反应体系在此温度下继续反应2 h。
优选的,上述步骤四随着水的不断加入,反应物的活性不断降低,直至最后加入的去离子水不再引起明显的温度变化。
优选的,上述步骤五加入过氧化氢的过程中,体系先由黑褐色变为咖啡色,再变为土黄色,最后变为橙黄色。
优选的,上述步骤五中的过氧化氢为25 mL30%,继续搅拌时间为30min。
优选的,上述步骤六中的HCl溶液为5%。
本发明提供的改进的氧化石墨烯的制备方法,制备出的氧化石墨烯综合了石墨烯具有较高的导电率、较大的比表面积和CEC、CEHEC良好的机械性能等优点。
附图说明
图1为本发明制备的氧化石墨烯的UV-vis图谱示意图。
具体实施方式
本发明提供一种改进的氧化石墨烯的制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下参照附图并举实施例对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
本实施例提供的改进的氧化石墨烯的制备方法,具体包括以下步骤:
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