[发明专利]一种五面发光的量子点CSP背光源及其制备方法在审
申请号: | 201710233705.1 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN106935693A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 崔杰;孙海桂;陈龙 | 申请(专利权)人: | 安徽芯瑞达科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 量子 csp 背光源 及其 制备 方法 | ||
1.一种五面发光的量子点CSP背光源,包括发光的倒装芯片,其特征在于,还包括包围在该发光倒装芯片四周及顶部的量子点荧光胶体;所述量子点荧光胶体为溶有量子点荧光粉的封装胶水固化形成的,所述倒装芯片通过四周及顶部的量子点荧光胶体发光。
2.如权利要求1所述的五面发光的量子点CSP背光源,其特征在于,所述倒装芯片为掺杂In的GaN蓝光芯片,具有发出蓝光的能力;量子点荧光粉具有吸收蓝光,并激发更长波长的光;芯片的蓝光和量子点荧光粉激发出的光混合成白光。
3.如权利要求1所述的五面发光的量子点CSP背光源,其特征在于,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。
4.如权利要求1所述的五面发光的量子点CSP背光源,其特征在于,所述量子点荧光胶体还溶有YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉或β-SiAlON。
5.如权利要求1-4所述的五面发光的量子点CSP背光源的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:将倒装芯片放于载板上;
S2:配制量子点荧光胶。将量子点红粉和绿粉溶于甲苯,再倒入封装胶水中,充分混合后,去除甲苯,得到量子点荧光胶;
S3:在倒装芯片上方涂敷荧光胶体;
S4:将涂敷荧光胶体的倒装芯片放入模具中;
S5:通过热压成型设备,将量子点荧光胶体与倒装芯片真空压合成型,使量子点荧光胶体固化;
S6:模具剥离胶体,形成量子点CSP背光源;
S7:将量子点CSP背光源与载板分离。
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