[发明专利]一种五面发光的量子点CSP背光源及其制备方法在审
申请号: | 201710233705.1 | 申请日: | 2017-04-11 |
公开(公告)号: | CN106935693A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 崔杰;孙海桂;陈龙 | 申请(专利权)人: | 安徽芯瑞达科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/50 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省合肥市经*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 量子 csp 背光源 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及到背光技术领域,特别是一种五面发光的量子点CSP背光源及其制备方法。
背景技术
现有的五面发光CSP,五面都有出光,出光角度大。且光源均匀性远优于传统顶部发光的LED灯珠,能够在TV背光模组结构设计方面更灵活。CSP优秀的散热,可以使用大电流驱动减少光源数量,满足相同亮度需求。CSP背光源在TV背光领域中潜力无限,搭配合适的透镜,制成光学效果更优秀的背光源。
量子点(Quantum Dot),又叫纳米晶,是由II-VI族或III-V族元素组成的纳米颗粒,粒径1~10nm。量子点的量子限域效应明显,将半导体中载流子限定在微小的三维空间内。受到光电刺激时,载流子会被激发跳跃到更高的能级,这些载流子回到原来较低能级时,会发出固定波长的光。量子点荧光粉具有较宽的吸收谱和较窄的激发谱,具有比传统荧光粉,更优秀的光电性能,NTSC高达140%。通过改变量子点颗粒尺寸和化学组成,可以使发射光谱覆盖整个可见光区域。寿命方面,量子点荧光粉是传统荧光粉寿命的3~5倍,且具有很好的光稳定性。
目前,CSP主要用于大功率LED背光源上,现有CSP五面胶水中的荧光粉激发效率低,为得到高色域LED灯珠,需要提高荧光粉浓度,增加封装成本,降低亮度、提升不良率;
而现有的量子点LED高色域背光方式主要有:(1)采用量子点粉制成的光学膜,填充在导光板或者液晶屏内,通过蓝光或UV背光灯珠激发,得到高色域白光;(2)将制成含有量子点荧光粉的玻璃管,至于屏幕侧面,通过蓝光或UV背光灯珠激发,得到高色域白光。但上述2种方法,工艺复杂、荧光粉利用率低、成本高、良品率低、难实现大规模产业化;
目前量子点粉的关键难题是,量子点粉温度稳定性较差,100℃已经出现衰减严重现象。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种五面发光的量子点CSP背光源,包括发光的倒装芯片,其还包括包围在该发光倒装芯片四周及顶部的量子点荧光胶体;所述量子点荧光胶体为溶有量子点荧光粉的封装胶水固化形成的,所述倒装芯片通过四周及顶部的量子点荧光胶体发光。
较佳地,所述倒装芯片为掺杂In的GaN蓝光芯片,具有发出蓝光的能力;量子点荧光粉具有吸收蓝光,并激发更长波长的光;芯片的蓝光和量子点荧光粉激发出的光混合成白光。
较佳地,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。
较佳地,所述量子点荧光胶体还溶有YAG粉、硅酸盐、氮化物荧光粉、KSF荧光粉或β-SiAlON。
本发明还提供了一种五面光的量子点CSP背光源的制备方法,其包括以下步骤:
S1:将倒装芯片放于载板上;
S2:配制量子点荧光胶。将量子点红粉和绿粉溶于甲苯,再倒入封装胶水中,充分混合后,去除甲苯,得到量子点荧光胶;
S3:在倒装芯片上方涂敷荧光胶体;
S4:将涂敷荧光胶体的倒装芯片放入模具中;
S5:通过热压成型设备,将量子点荧光胶体与倒装芯片真空压合成型,使量子点荧光胶体固化;
S6:模具剥离胶体,形成量子点CSP背光源;
S7:将量子点CSP背光源与载板分离。
本发明具有以下有益效果:
工作温度低,减少量子粉因温度衰减。在同样电流驱动时,CSP采用大功率倒装芯片比传统灯珠产生的热更低;
高色域光学效果好。量子点CSP背光源具有五面发光,且光源均匀性优于传统单面出光的LED灯珠;
良品率高。量子点CSP封装工艺减少了固晶、打线环节,因为固晶、打线次数,造成的异常率较高;
产能提升。量子点CSP背光源制作过程中,避免芯片固晶、焊线抓取次数,缩短制程时间,提升产能。
附图说明
图1为本发明提供的五面发光的量子点CSP背光源剖视图;
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