[发明专利]一种P型多晶硅沟槽结构的肖特基二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，包括若干沟槽，所述沟槽内部通过多晶硅淀设满，且所述多晶硅为P型掺杂多晶硅。

2.根据权利要求1所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述沟槽设于N型外延层内。

3.根据权利要求2所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，所述N型外延层未设有沟槽的一侧设于N型基片上。

4.根据权利要求3所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，在N型外延层的一侧淀积绝缘层，且所述绝缘层淀积于N型外延层上及沟槽的顶部，形成终端区。

5.根据权利要求4所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管，其特征在于，在N型外延层未淀积绝缘层部分及绝缘层上方淀积金属层，形成阳极。

6.一种制备权利要求1至5中任意一项所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在沟槽内淀积多晶硅，先淀积一层较薄的多晶硅，注入P型杂质，调节注入剂量和注入能量，将杂质注入到多晶硅表面；

淀积第二多晶硅，将沟槽填充满，并进行退火，使多晶硅内部杂质浓度均匀分布。

7.根据权利要求6所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：绝缘层淀积，去除元胞区表面绝缘物质，只在终端区保留。

8.根据权利要求7所述的P型多晶硅沟槽肖特基二极管的制备方法，其特征在于，淀积金属层，并进行刻蚀、退火，形成引出电极作为器件的阳极，此金属层由多层金属层构成。