[发明专利]RGBW显示面板有效
申请号: | 201710237243.0 | 申请日: | 2017-04-12 |
公开(公告)号: | CN106873277B | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
发明(设计)人: | 王聪 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | rgbw 显示 面板 | ||
1.一种RGBW显示面板,包括多条栅极线(1)、与所述多条栅极线(1)绝缘交叉的多条数据线(2)、由所述多条栅极线(1)与多条数据线(2)界定出的多个呈阵列式排布的子像素、多个TFT(T);一个TFT(T)对应一个子像素设置;其特征在于,还包括遮盖栅极线(1)与扫描线(2)的黑色矩阵(BM);
所述多个子像素包括多个红色子像素、多个绿色子像素、多个蓝色子像素、及多个空白子像素(W);对于上下、左右相邻的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、与空白子像素(W),所述红色子像素的TFT、绿色子像素的TFT、与蓝色子像素的TFT均设置在空白子像素(W)中;
每一栅极线(1)包括多个弯折部(11),所述弯折部(11)位于空白子像素(W)左右两侧的子像素的边界上,使得位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的开口率增大。
2.如权利要求1所述的RGBW显示面板,其特征在于,所述弯折部(11)包括第一弯折段(111)和第二弯折段(113),所述第一弯折段(111)相对远离所述空白子像素(W)朝向所述空白子像素(W)倾斜,所述第二弯折段(113)相对靠近所述空白子像素(W)朝向所述空白子像素(W)倾斜。
3.如权利要求2所述的RGBW显示面板,其特征在于,所述弯折部(11)还包括连接第一弯折段(111)和第二弯折段(113)的直线段(112)。
4.如权利要求1所述的RGBW显示面板,其特征在于,每一栅极线(1)还包括设在两弯折部(11)之间用于连接该两弯折部(11)的直线部(12)。
5.如权利要求2所述的RGBW显示面板,其特征在于,空白子像素(W)的四个角分别分布一个TFT(T);所述TFT(T)包括半导体层(3)、设于半导体层(3)上方与半导体层(3)绝缘且与栅极线(1)一体的栅极、位于栅极上方与栅极绝缘且与数据线(2)一体的源极、及与数据线(2)同层的漏极(D);所述漏极(D)连接至半导体层(3);
所述半导体层(3)的一部分伸出空白子像素(W)分别进入位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的内部。
6.如权利要求5所述的RGBW显示面板,其特征在于,所述第一弯折段(111)的最高点与最低点的高度差等于第二弯折段(113)的最高点与最低点的高度差,第一弯折段(111)与竖直方向的夹角等于第二弯折段(113)与竖直方向的夹角。
7.如权利要求6所述的RGBW显示面板,其特征在于,设第一弯折段(111)的最高点与最低点的高度差及第二弯折段(113)的最高点与最低点的高度差均为d,第一弯折段(111)与竖直方向的夹角及第二弯折段(113)与竖直方向的夹角均为α,位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的开口率的增大量ΔAR2为:
ΔAR2=2×(b-s)×d/(a×b)
其中,a表示子像素的名义高度,b表示子像素的名义宽度,s表示黑色矩阵(BM)的遮光宽度。
8.如权利要求7所述的RGBW显示面板,其特征在于,第一弯折段(111)的最高点与最低点的高度差及第二弯折段(113)的最高点与最低点的高度差d的计算公式为:
d=2×l×m/[s(tgα-1)+b]
其中,l表示TFT的半导体层(3)进入位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的内部与相应子像素进行重叠的高度、m表示TFT的半导体层(3)进入位于空白子像素(W)上下两侧的子像素的内部与相应子像素进行重叠的宽度。
9.如权利要求5所述的RGBW显示面板,其特征在于,还包括基板、及设于基板上于半导体层(3)下方进行遮光的遮光层(5);所述半导体层(3)的材料为多晶硅。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710237243.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。