[发明专利]RGBW显示面板有效

专利信息
申请号: 201710237243.0 申请日: 2017-04-12
公开(公告)号: CN106873277B 公开(公告)日: 2019-11-08
发明(设计)人: 王聪 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: rgbw 显示 面板
【说明书】:

发明提供一种RGBW显示面板,对于上下、左右相邻的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素、与空白子像素(W),将红色子像素的TFT、绿色子像素的TFT、与蓝色子像素的TFT均设置在空白子像素(W)中,并在空白子像素(W)左右两侧的子像素的边界上设置弯折部(11),使得位于空白子像素(W)左右两侧的子像素的开口率减小,而位于空白子像素上下两侧的子像素(P)的开口率增大,能够将位于空白子像素四周的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素的开口率调整至趋于一致,从而既能够改善RGBW显示面板在纯色或混色显示时发暗的问题,又能够避免白点色坐标漂移,改善色偏,提高画面的显示品质。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种RGBW显示面板。

背景技术

液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD)、及有机发光二极管(OrganicLight Emitting Diode,OLED)显示面板均具有多个呈矩阵式排列的像素。传统的像素通常包括红(Red,R)、绿(Green,G)、蓝(Blue,B)三种颜色的子像素,每个子像素由对应的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)进行控制。现有技术中所采用的R、G、B彩色滤光片都是吸收型色层,当光线入射时,只有相应颜色的光才能透过,而另外两种颜色的光均被吸收,使得显示面板的透光率较低。由此,出现了在一个像素内形成红、绿、蓝、空白(White,W)四种颜色子像素的显示技术,其中,W子像素不添加色层,通过控制其对应的灰阶来控制该W子像素的透光量,可以提高显示面板的透光率,此类显示面板被称为RGBW显示面板。

RGBW显示面板可以提高白画面的亮度,大大降低背光功耗,达到节省成本的目的。但是,RGBW显示面板只有在一个像素中的R、G、B三个子像素全开的时候,W子像素才会根据这三个子像素的最低灰阶的亮度开启,否则,W子像素不显示;这种显示效果具有一定的弊端,主要表现在显示纯色或者两色混色的画面时,与传统的RGB三色显示模式相比,纯色或混色较暗,例如在白色背景下显示黄色(红色与绿色的混色)画面,RGBW显示面板所呈现的黄色会比传统RGB显示面板所呈现的黄色暗的多。

现有的一种改善RGBW显示面板在纯色或混色显示时发暗的方案是将RGBW显示面板中红色子像素的TFT、绿色子像素的TFT、及蓝色子像素的TFT全部设计在空白子像素中,通过损失空白子像素的开口率,来提升红、绿、蓝三色子像素的开口率,从而增大纯色或者两色混色的显示亮度。图1所示是一种经过改善的RGBW显示面板,将红、绿、蓝三个子像素的TFT T10均设计在空白子像素W中,栅极线100采用直线走线的形式;假设各子像素的名义大小为a×b,黑色矩阵BM遮光的宽度为s,由图1可以看出,位于空白子像素W上下的子像素的开口率有损失,进一步地,位于空白子像素W上下的子像素的开口率主要损失在半导体层30、及遮光层20对子像素区域的遮盖,根据子像素设计的准则,设半导体层30进入子像素内部与子像素进行重叠的高度为l、宽度为m,那么位于空白子像素W上下的子像素的开口率的损失率ΔAR为:

ΔAR=4×(l×m)/(a×b),

而位于空白子像素W左右的子像素的开口率并不损失,明显要大于位于空白子像素W上下的子像素的开口率,这会导致红、绿、蓝三种颜色子像素的开口率差别较大,在实际显示中出现白点的色坐标漂移的现象,产生色偏,影响画面的显示品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种RGBW显示面板,既能够改善RGBW显示面板在纯色或混色显示时发暗的问题,又能够避免白点色坐标漂移,改善色偏,提高画面的显示品质。

为实现上述目的,本发明提供一种RGBW显示面板,包括多条栅极线、与所述多条栅极线绝缘交叉的多条数据线、由所述多条栅极线与多条数据线界定出的多个呈阵列式排布的子像素、多个TFT、以及遮盖栅极线与扫描线的黑色矩阵;一个TFT对应一个子像素设置;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司,未经武汉华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710237243.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top