[发明专利]晶片端面研磨垫、晶片端面研磨装置及晶片端面研磨方法

权利要求书

1.一种晶片端面研磨垫，前述垫的由正面及背面构成的主面的形状为大致矩形，前述垫用于将晶片的端面研磨，其特征在于，

多条槽以在前述垫的长边方向上隔开间隔的方式，沿着前述垫的短边方向配置，前述多条槽在前述垫的短边方向两端开口。

2.如权利要求1所述的晶片端面研磨垫，其特征在于，

前述槽笔直地延伸。

3.如权利要求2所述的晶片端面研磨垫，其特征在于，

前述槽的延伸方向和前述垫的短边方向所成的角为0～60度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片端面研磨垫，其特征在于，

前述垫的短边方向长度是23～27mm，前述垫的长边方向长度是62～66mm。

5.如权利要求1～3中任一项所述的晶片端面研磨垫，其特征在于，

前述主面的形状是矩形。

6.如权利要求1～3中任一项所述的晶片端面研磨垫，其特征在于，

前述主面的形状是一组长边相互平行、两个短边与前述长边中的较长的边所成的角分别为85～95度的形状。

7.如权利要求1～3中任一项所述的晶片端面研磨垫，其特征在于，

前述主面的形状是，外侧长边及内侧长边为以两个短边的延长线的交点为中心的圆的一部分的形状。

8.一种晶片端面研磨装置，具有：

台，能够一边将晶片真空吸附来保持，一边旋转；

垫，配置在能够与前述晶片的端面接触的位置；

浆液供给机构，向前述晶片的端面供给浆液；

将由前述台旋转的前述晶片的端面用前述垫研磨；

其特征在于，

前述垫是权利要求1～7中任一项所述的晶片端面研磨垫，前述晶片的旋转方向与前述晶片端面研磨垫的长边方向一致。

9.一种晶片端面研磨装置，具有：

台，能够一边将晶片真空吸附来保持，一边旋转；

垫，配置在能够与前述晶片的端面接触的位置；

浆液供给机构，向前述晶片的端面供给浆液；

将由前述台旋转的前述晶片的端面用前述垫研磨；

其特征在于，

前述垫具有第一垫、第二垫和第三垫，前述第一垫将前述晶片的端面的与前述晶片的吸附面相邻的下斜面区域研磨，前述第二垫将前述晶片的端面的上斜面区域研磨，前述上斜面区域与和前述晶片的吸附面相反的一侧的面相邻，前述第三垫将前述晶片的端面的被前述下斜面区域和前述上斜面区域所夹的最外周区域研磨；

至少前述第一垫是权利要求1～7中任一项所述的晶片端面研磨垫。

10.一种晶片端面研磨方法，使用晶片端面研磨装置，前述晶片端面研磨装置具有台、垫和浆液供给机构，前述台能够一边将晶片真空吸附来保持，一边旋转，前述垫配置在能够与前述晶片的端面接触的位置，前述浆液供给机构向前述晶片的端面供给浆液，将由前述台旋转的前述晶片的端面用前述垫研磨，其特征在于，

前述垫是权利要求1～7中任一项所述的晶片端面研磨垫，前述晶片的旋转方向与前述晶片端面研磨垫的长边方向一致。