[发明专利]晶片端面研磨垫、晶片端面研磨装置及晶片端面研磨方法

说明书

提供一种能够抑制浆液的飞散、减少端面研磨后的晶片的背面的亮点缺陷的晶片端面研磨垫。本发明是一种晶片端面研磨垫，前述垫的由正面及背面构成的主面的形状为大致矩形，前述垫用于将晶片的端面研磨，其特征在于，多条槽以在前述垫的长边方向上隔开间隔的方式，沿着前述垫的短边方向配置，前述多条槽在前述垫的短边方向两端开口。

技术领域

本发明涉及晶片端面研磨垫、晶片端面研磨装置及晶片端面研磨方法。

背景技术

在硅晶片等的半导体等由各种各样的材质构成的抛光晶片的制造工序之一中，有将被晶片的正面和背面所夹的晶片端面研磨的工序。该晶片端面研磨工序使用例如专利文献1所记载的那样的研磨装置，如在本申请的图8中示意地表示地那样进行。

参照图8，晶片W真空吸附并被保持在可旋转的台60上。在台的主表面上设有晶片保持垫62。在能够与晶片端面接触的位置上，配置三种晶片端面研磨垫（研磨布）70A、70B、70C。研磨垫70A将晶片的端面的与晶片的吸附面相邻的下斜面区域研磨。研磨垫70B将晶片的端面的、与和晶片的吸附面相反的一侧的面相邻的上斜面区域研磨。研磨垫70C将晶片的端面的被下斜面区域和上斜面区域所夹的最外周区域研磨。在图8中示意地将这些研磨垫重叠描绘，但实际上配置在沿着晶片外周方向的不同的位置。从喷嘴68向晶片表面供给浆液。在该状态下，一边使晶片W在既定方向上旋转，一边使研磨垫70A、70B、70C与晶片端面接触而使其向相反方向旋转，由此将晶片端面研磨。通过晶片W的旋转，将浆液向晶片端面供给。

专利文献1：日本特开2009－297842号公报。

本发明人们非常注意地观察了端面研磨的状况，发现如在图8中示意地表示那样，被供给到晶片端面上的浆液从研磨垫70A、70B、70C（特别是将下斜面区域研磨的研磨垫70A）向台60的外周端的方向飞散。明确了以下情况，这样飞散的浆液进入到晶片W与晶片保持垫62之间，其一部分没有被从其之间排出而固态化并积蓄。在晶片保持垫62上固态化而积蓄的浆液与新被保持的晶片W擦碰，使其背面产生损伤。该损伤在晶片检查工序中被作为亮点缺陷（LPD，Light point defect）检测到，使晶片品质劣化。特别是，近年来减少晶片背面的亮点缺陷也被作为重要的晶片品质之一被要求。

发明内容

所以，本发明鉴于上述问题，目的是提供一种能够抑制浆液的飞散、减少端面研磨后的晶片的背面的亮点缺陷的晶片端面研磨垫、晶片端面研磨装置及晶片端面研磨方法。

本发明人们着眼于从精心设计端面研磨垫的形状的观点解决上述问题而进行了专门研究。结果发现，通过在端面研磨垫上设置槽，浆液的大半被槽导引，容易落下到该垫的下方，结果浆液变得不易向台的外周端的方向飞散。周知有在将晶片的正面或背面研磨的研磨垫上设置槽来提高浆液供给效率的技术，但在晶片端面研磨的情况下，由于浆液容易被供给到加工点，所以以往没有认识到在晶片端面研磨垫上设置槽的必要性。本发明人们基于浆液的飞散抑制的新的问题认识，得到了在端面研磨垫上设置槽的想法，完成了本发明。

本发明是基于上述认识的，其主旨结构是以下这样的。

（1）一种晶片端面研磨垫，前述垫的由正面及背面构成的主面的形状为大致矩形，前述垫用于将晶片的端面研磨，其特征在于，多条槽以在前述垫的长边方向上隔开间隔的方式，沿着前述垫的短边方向配置，前述多条槽在前述垫的短边方向两端开口。

（2）如上述（1）所述的晶片端面研磨垫，前述槽笔直地延伸。

（3）如上述（2）所述的晶片端面研磨垫，前述槽的延伸方向和前述垫的短边方向所成的角为0~60度。

（4）如上述（1）～（3）中任一项所述的晶片端面研磨垫，前述垫的短边方向长度是23～27mm，前述垫的长边方向长度是62～66mm。

（5）如上述（1）～（4）中任一项所述的晶片端面研磨垫，前述主面的形状是矩形。