[发明专利]模拟多端口方法及模拟多端口记忆体有效

专利信息
申请号: 201710241316.3 申请日: 2017-04-13
公开(公告)号: CN107123438B 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 林兴武 申请(专利权)人: 建荣半导体(深圳)有限公司
主分类号: G11C8/08 分类号: G11C8/08;G11C8/10;G11C8/16
代理公司: 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 代理人: 宋建平
地址: 518000 广东省深圳市宝安区新安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 模拟 多端 方法 记忆体
【权利要求书】:

1.一种模拟多端口记忆体,包括:数据输入输出端口、记忆体控制器、读写模块以及行解码模块,其特征在于,还包括:

第1存储区块至第N存储区块,所述存储区块为P列Q行的存储单元阵列;每个存储区块中同一行的存储单元的选择线连接到同一个地址线上,每个存储区块有Q个地址线,N、P和Q为均正整数;

所述行解码模块包括行解码器1至行解码器Q的Q个行解码器;所述行解码模块与第n存储区块的对应的地址线连接;所述行解码模块在所述记忆体控制器的配置下,令对应行解码器输出导通信号导通所述第n存储区块的地址线;n为1至N之间的正整数;

导通信号引导系统,所述导通信号引导系统用于将所述导通信号引导至除第n存储区块外,其余各个存储区块对应的地址线;

交换网,所述交换网通过所述读写模块与N个存储区块连接,根据预定的交换规则匹配所述存储区块及数据输入输出端口。

2.根据权利要求1所述的模拟多端口记忆体,其特征在于,设所述模拟多端口记忆体具有0至K的K个地址,每个存储单元具有唯一的地址;

第n存储区块的第q行的第一个存储单元的地址为:(q-1)×N+(n-1);n为1至N之间的正整数,q为1至Q之间的正整数;第N存储区块的最后一个存储单元的地址为K。

3.根据权利要求1所述的模拟多端口记忆体,其特征在于,所述导通信号引导系统包括:与第1存储区块至第N-1存储区块对应设置的N-1个地址线选择模块;

所述地址线选择模块包括选择器1至选择器Q的Q个选择器,所述选择器为二选一选择器;

选择器q的输出端与对应的存储区块的地址线q连接;选择器q的两个输入端分别与行解码器q和行解码器q+1耦合;q为1至Q之间的正整数;

其中,选择器1的输入端分别与行解码器Q和行解码器1耦合。

4.根据权利要求1所述的模拟多端口记忆体,其特征在于,所述导通信号引导系统包括:与第1存储区块至第N-1存储区块对应设置的N-1个地址线选择模块;

所述地址线选择模块包括选择器1至选择器Q的Q个选择器,所述选择器为二选一选择器;

选择器q的输出端与对应的存储区块的地址线q连接;选择器q的两个输入端分别与行解码器q和行解码器q+1耦合;q为1至Q之间的正整数;

其中,所述行解码模块还包括一个额外的行解码器Q,所述额外的行解码器Q设置在所述行解码器1旁,所述选择器1的输入端分别与所述额外的行解码器Q和行解码器1耦合。

5.根据权利要求1所述的模拟多端口记忆体,其特征在于,所述数据输入输出端口至少包括:

地址信号输入端口、N个写入数据端口、N个读取数据端口以及N个读写操作端口;N为所述写入数据端口、所述读取数据端口以及所述读写操作端口的数量。

6.根据权利要求5所述的模拟多端口记忆体,其特征在于,所述交换网包括若干个与所述存储区块对应设置的交换网1至交换网N;

所述交换网根据预定的交换规则,选择对应存储区块与所述写入数据端口以及读取数据端口匹配。

7.一种模拟多端口的方法,应用于如权利要求1所述的模拟多端口的记忆体,其特征在于,包括:

接收一个数据读写指令,所述数据读写指令包括:地址信号以及读写操作信号;

根据所述地址信号在对应的行解码器输出导通信号;

根据所述地址信号,令所述导通信号输入至各个存储区块对应的地址线,导通对应行的存储单元;

根据所述读写操作信号,控制所述存储单元执行对应操作;

通过所述地址信号,确定所述N个存储区块与数据输入输出端口的匹配关系。

8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:

将数据依据地址依次写入所述N个存储区块的第1行;所述地址包括0至K的K个地址;

在所有存储区块的第1行写入完毕后,重新将数据依次写入所述N个存储区块的第2行;

重复上述数据写入操作直至第N存储区块的最后一个地址K被写入。

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