[发明专利]对充电节点进行充电的驱动器电路有效
申请号: | 201710243378.8 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN108735247B | 公开(公告)日: | 2023-07-04 |
发明(设计)人: | 朴贤国;李永宅;边大锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 钱大勇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 充电 节点 进行 驱动器 电路 | ||
1.一种驱动器电路,包括:
箝位晶体管,包括箝位栅极、第一箝位节点以及连接到充电节点的第二箝位节点;
比较电压晶体管,包括被配置为接收参考电压的比较电压栅极、被配置为接收第一电压的第一比较电压节点以及被配置为输出比较电压的第二比较电压节点;
放大晶体管,包括连接到充电节点的放大栅极、连接到比较电压晶体管的第二比较电压节点并且被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的箝位栅极的第二放大节点;
偏置晶体管,包括被配置为接收偏置电压的偏置栅极、连接到箝位晶体管的箝位栅极的第一偏置节点以及被配置为接收第二电压的第二偏置节点;以及
充电电路,该充电电路进行以下之一:被配置为通过箝位晶体管从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向充电节点供给电流。
2.根据权利要求1所述的驱动器电路,其中
箝位晶体管和放大晶体管是PMOS晶体管,而
比较电压晶体管和偏置晶体管是NMOS晶体管。
3.根据权利要求1所述的驱动器电路,其中
第一电压是电源电压,并且
第二电压是地电压。
4.根据权利要求1所述的驱动器电路,其中
箝位晶体管和放大晶体管是NMOS晶体管,而
比较电压晶体管和偏置晶体管是PMOS类型晶体管。
5.根据权利要求1所述的驱动器电路,其中
第一电压是地电压,而
第二电压是电源电压。
6.根据权利要求1所述的驱动器电路,进一步包括:
连接在箝位晶体管的箝位栅极和放大晶体管的第二放大节点之间的使能晶体管,并且
该使能晶体管被配置为接收使能信号并且基于使能信号被激活或去激活。
7.根据权利要求1所述的驱动器电路,进一步包括:
电压生成器,被配置为向箝位晶体管的第二箝位节点供给第三电压。
8.根据权利要求1所述的驱动器电路,其中,放大晶体管被配置为调整箝位栅极的电压,使得充电节点的电压达到目标电压。
9.根据权利要求8所述的驱动器电路,其中,参考电压基于充电节点的目标电压、比较电压晶体管的阈值电压和放大晶体管的阈值电压。
10.根据权利要求1所述的驱动器电路,其中,充电节点连接到被连接到存储单元的字线和位线之一。
11.一种驱动器电路,包括:
箝位开关,包括被配置为接收箝位电压的栅极、第一节点以及连接到充电节点的第二节点;
连接到箝位开关的第一节点的充电电路,
充电电路进行以下中的至少一个:被配置为通过箝位开关从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位开关向充电节点供给电流;
被配置为输出比较电压的比较电压生成器;
单级放大器,
该单级放大器被配置为放大比较电压和充电节点的电压之间的差,以及
该单级放大器被配置为输出箝位电压作为放大结果;以及
连接到箝位开关的栅极的电流偏置电路,
该电流偏置电路被配置为调整通过比较电压生成器、单级放大器和电流偏置电路而流向被供给地电压的接地节点的电流的量。
12.根据权利要求11所述的驱动器电路,其中,单级放大器包括:
包括连接到充电节点的栅极的晶体管,
连接到比较电压生成器的第一节点,以及
连接到箝位开关的栅极的第二节点。
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