[发明专利]对充电节点进行充电的驱动器电路

说明书

公开了一种驱动器电路。驱动器电路包括箝位晶体管、比较电压晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。比较电压晶体管被配置为提供比较电压。放大晶体管包括连接到箝位晶体管的第一节点的放大栅极、被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的栅极的第二放大节点。偏置晶体管被配置为供给偏置电压。充电电路进行以下中的至少一个：被配置为通过箝位晶体管从第一节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向第一节点供给电流。

技术领域

在本文描述的发明构思的示例实施例涉及一种半导体电路，并且更详细地，涉及一种对充电节点进行充电的驱动器电路。

背景技术

存储器设备包括多个存储单元。根据特定图案规则地安置多个存储单元以减小存储单元所占用的面积。根据规则图案安置的存储单元可以连接到用于访问存储单元的导电线。

随着连接到每个导电线的存储单元的数量增加并且导电线之间的距离变得更短，存储器设备被高度地集成。在这种情况下，每个导电线的电阻负载和电容负载增加。当电阻负载和电容负载增加时，需要很多时间来将导电线的电压驱动到目标电平，并且因此存储器设备的操作速度可以降低。因此，需要一种设备和方法，即使每个导电线的电阻负载和电容负载增加，其也能够迅速地利用目标电压来驱动每个导电线。

发明内容

发明构思的示例实施例提供一种能够减小占用的面积并且提高驱动速度的驱动器电路。

根据发明构思的示例实施例，一种驱动器电路包括箝位晶体管、放大晶体管、偏置晶体管以及充电电路。箝位晶体管包括箝位栅极、第一箝位节点以及连接到充电节点的第二箝位节点。比较电压晶体管包括被配置为接收参考电压的比较电压栅极、被配置为接收第一电压的第一比较电压节点以及被配置为输出比较电压的第二比较电压节点。放大晶体管包括连接到充电节点的放大栅极、连接到比较电压晶体管的第二比较电压节点并且被配置为接收比较电压的第一放大节点以及连接到箝位晶体管的箝位栅极的第二放大节点。偏置晶体管包括被配置为接收偏置电压的偏置栅极、连接到箝位晶体管的箝位栅极的第一偏置节点以及被配置为接收第二电压的第二偏置节点。充电电路进行以下之一：被配置为通过箝位晶体管从充电节点汲取电流以及被配置为通过箝位晶体管向充电节点供给电流。

在示例实施例中，箝位晶体管和放大晶体管可以是PMOS晶体管，而比较电压晶体管和偏置晶体管可以是NMOS晶体管。

在示例实施例中，第一电压可以是电源电压，而第二电压可以是地电压。

在示例实施例中，箝位晶体管和放大晶体管可以是NMOS晶体管，而比较电压晶体管和偏置晶体管可以是PMOS晶体管。

在示例实施例中，第一电压可以是地电压，而第二电压可以是电源电压。

在示例实施例中，驱动器电路还可以包括连接在箝位晶体管的箝位栅极和放大晶体管的第二放大节点之间的使能晶体管，并且使能晶体管可以被配置为接收使能信号并且将基于使能信号被激活或去激活。

在示例实施例中，驱动器电路还可以包括被配置为向箝位晶体管的第二箝位节点供给第三电压的电压生成器。

在示例实施例中，放大晶体管可以被配置为调整箝位栅极的电压，使得充电节点的电压达到目标电压。

在示例实施例中，参考电压可以基于充电节点的目标电压、比较电压晶体管的阈值电压以及放大晶体管的阈值电压。

在示例实施例中，充电节点可以连接到被连接到存储单元的字线和位线之一。