[发明专利]一种厚导体层的母排电路板的制作方法

权利要求书

1.一种厚导体层的母排电路板的制作方法，其特征在于，所述母排电路板的制作方法包括以下步骤：S1、备料，准备所需厚度的所述导体层，并将所述导体层定位；其中，所述导体层具有待加工面，所述待加工面包括第一加工面和与所述第一加工面相对的第二加工面；

S2、于所述第一加工面上，将所述导体层制作成所述母排的半成品，所述步骤S2包括以下步骤：S21、控深蚀刻，针对补偿后的线路图形对所述导体层进行控深蚀刻以制作出所述母排的第一线路；S22、控深铣边，将所述导体层按照所述母排所需的尺寸进行控深铣边以去除所述导体层的侧壁上所述步骤S21中蚀刻出的毛边；S23、压合成型，从所述待加工面上向所述导体层压合绝缘粘结层；

S3、在所述步骤S2之后，于所述第二加工面上，先后重复所述步骤S21和所述步骤S22，然后执行步骤S23以形成所述母排的成品；所述步骤S2和所述步骤S3这两步骤中的所述步骤S21的控深蚀刻深度之和等于所述导体层的所需厚度；

S4、在所述第一加工面的外侧面上压合第一绝缘介质，同时，在所述第二加工面的外侧面上压合第二绝缘介质以获得所述母排电路板的半成品；其中，所述第一绝缘介质靠近所述第一加工面的一侧和所述第二绝缘介质靠近所述第二加工面的一侧均设有防滑件；

S5、沿着所述母排电路板的各层层压的方向，在所述母排电路板的所述半成品上钻通孔以获得连接孔，然后对所述连接孔的孔壁以及所述母排电路板的所述半成品中所述第一绝缘介质和所述第二绝缘介质的外表面进行沉铜；

S6、对所述连接孔的孔壁上的铜层以及所述母排电路板的所述半成品中需要保留的线路图形的铜层进行图形电镀；

S7、将所述母排电路板的需要的线路之外的铜层蚀刻掉并保留需要制作的线路位置的铜层以形成第二线路；

S8、去掉部分所述第一绝缘介质和所述第二绝缘介质将所述母排的连接接口全部露出以形成所述母排电路板的成品。

2.如权利要求1所述的厚导体层的母排电路板的制作方法，其特征在于，所述步骤S21中包括以下步骤，S211、对所述母排上所需的线路图形进行补偿后再制作出所述第一线路的线路图形；S212、参照所述第一线路的所述线路图形控深蚀刻出所述第一线路；其中，蚀刻的深度为所述导体层的总厚度的一半，蚀刻后的所述导体层的尺寸与所述母排所需的尺寸之间的差值大于或等于0.2mm。

3.如权利要求2所述的厚导体层的母排电路板的制作方法，其特征在于，所述步骤S22具体为将所述步骤S212中控深蚀刻好的所述导体层进行控深铣边除去所述步骤S212中蚀刻出的毛边以使所述导体层的所述侧壁的外形轮廓整齐且增大所述导体层的所述侧壁的粗糙度。

4.如权利要求1至3任一项所述的厚导体层的母排电路板的制作方法，其特征在于，所述步骤S23具体包括以下步骤，S231、对所述待加工面进行棕化处理；S232、根据所述导体层的玻璃态转化温度选用具有对应玻璃态转化温度的第一半固化片作为所述绝缘粘结层，将所述绝缘粘结层置于所述导体层中间以压合成型出所述母排。

5.如权利要求4所述的厚导体层的母排电路板的制作方法，其特征在于，所述步骤S232具体包括以下步骤，S232a、根据所述导体层的玻璃态转化温度选用具有对应玻璃态转化温度的所述第一半固化片；根据所述导体层的总高度计算所述第一半固化片的数量；S232b、将所述第一半固化片和玻璃环氧树脂板进行组合以形成填胶料；其中，所述填胶料为所述绝缘粘结层压合之前的状态；S232c、从左往右依次按照所述导体层、所述填胶料和所述导体层的方式进行压合前的排版；S232d、根据所述第一半固化片的所述玻璃态转化温度选用相对应的层压方式，将所述导体层和所述填胶料按照所选的层压方式压合成型。