[发明专利]封装堆叠结构及其制法在审
申请号: | 201710244156.8 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN108666255A | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 陈汉宏;许元鸿;林长甫;林荣政;黄富堂 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装堆叠结构 制法 核心层 线路部 板体 堆叠 | ||
1.一种封装堆叠结构,其特征为,该结构包括:
第一组件,其包含有绝缘层、线路部与多个导电元件,其中,该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面,该线路部结合该绝缘层,该导电元件立设于该绝缘层的第一表面上并接触该线路部,且该第一组件不具有核心层;
板体,其透过该多个导电元件而堆叠于该绝缘层的第一表面上;以及
第一电子元件,其设于该板体上。
2.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征为,该线路部包含至少一线路层。
3.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征为,该线路部的外表面低于该绝缘层的第二表面。
4.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征为,该导电元件为焊球、铜核心球或金属件。
5.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征为,该结构还包括设于该绝缘层的第二表面上的第二电子元件。
6.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征为,该结构还包括形成于该绝缘层的第一表面与该板体之间的封装材。
7.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征为,该结构还包括结合于该绝缘层的第二表面上的支撑部。
8.根据权利要求7所述的封装堆叠结构,其特征为,该支撑部包含至少一金属层,并以该金属层结合该绝缘层的第二表面。
9.根据权利要求7所述的封装堆叠结构,其特征为,该支撑部包含多个金属层与多个隔离层,并以该金属层结合该绝缘层的第二表面。
10.根据权利要求1所述的封装堆叠结构,其特征为,该线路部嵌埋于该绝缘层中。
11.一种封装堆叠结构的制法,其特征为,该制法包括:
提供一包含绝缘层、线路部、支撑部与多个导电元件的第一组件,其中,该绝缘层具有相对的第一表面与第二表面,该线路部结合该绝缘层,该导电元件立设于该绝缘层的第一表面上并接触该线路部,且该绝缘层以其第二表面结合该支撑部;
将该第一组件接置于第二组件上,其中,该第二组件包含有一板体及设于该板体上的第一电子元件,以令该绝缘层、线路部与支撑部透过该多个导电元件堆叠于该板体上;以及
于该第一组件接置至该第二组件后,移除该支撑部。
12.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法,其特征为,该支撑部包含至少一金属层,并以该金属层结合该绝缘层的第二表面。
13.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法,其特征为,该支撑部包含多个金属层与多个隔离层,并以该金属层结合该绝缘层的第二表面。
14.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法,其特征为,该线路部包含至少一线路层。
15.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法,其特征为,于移除该支撑部后,令该线路部的外表面外露出该绝缘层的第二表面。
16.根据权利要求15所述的封装堆叠结构的制法,其特征为,该线路部的外表面低于该绝缘层的第二表面。
17.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法,其特征为,该导电元件为焊球、铜核心球或金属件。
18.根据权利要求11所述的封装堆叠结构的制法,其特征为,该制法还包括于该绝缘层的第二表面上接置第二电子元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造