[发明专利]扇出型半导体封装件有效
申请号: | 201710244624.1 | 申请日: | 2017-04-14 |
公开(公告)号: | CN107887361B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 金亨俊;李斗焕 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 马翠平;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 扇出型 半导体 封装 | ||
1.一种扇出型半导体封装件,包括:
第一连接构件,具有通孔;
半导体芯片,设置在所述通孔中,并且具有有效表面和与所述有效表面背对的无效表面,所述有效表面上设置有连接焊盘;
包封剂,包封所述半导体芯片的无效表面和所述第一连接构件的至少部分,并且包含绝缘树脂、芯和填料;
第二连接构件,设置在所述第一连接构件和所述半导体芯片的有效表面上;
开口,贯穿所述包封剂;
外部连接端子,填充所述开口的至少一部分,
其中,所述第一连接构件和所述第二连接构件分别包括电连接到所述半导体芯片的连接焊盘的重新分布层,所述第一连接构件的重新分布层包括焊盘,所述焊盘的至少一部分通过所述开口暴露,以连接到所述外部连接端子,所述开口的壁表面的表面粗糙度比所述焊盘的所暴露的表面的表面粗糙度大,
其中,贯穿所述包封剂的所述开口的壁表面包括多个第四空洞,所述多个第四空洞的至少一部分填充有所述外部连接端子的一部分,并且所述多个第四空洞中的至少一部分为形成在所述芯中的凹槽。
2.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件,其中,所述芯包含玻璃纤维,所述填料包含无机填料。
3.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件,其中,所述多个第四空洞中的另一部分为形成在绝缘树脂中的凹槽。
4.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件,所述扇出型半导体封装件还包括:
树脂层,设置在所述包封剂上,
其中,所述开口贯穿所述树脂层,贯穿所述树脂层的所述开口的壁表面包括多个第五空洞,所述多个第五空洞的至少一部分填充有所述外部连接端子的一部分。
5.如权利要求4所述的扇出型半导体封装件,其中,所述树脂层包含绝缘树脂和填料,所述多个第五空洞中的至少一部分为形成在所述树脂层中的凹槽。
6.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件,其中,所述第一连接构件包括:第一绝缘层;第一重新分布层,接触所述第二连接构件并且嵌在所述第一绝缘层中;第二重新分布层,与嵌在所述第一绝缘层中的所述第一重新分布层背对,所述第一重新分布层和所述第二重新分布层电连接到所述连接焊盘。
7.如权利要求6所述的扇出型半导体封装件,其中,所述第一连接构件还包括:第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上,以覆盖所述第二重新分布层;第三重新分布层,设置在所述第二绝缘层上,所述第三重新分布层电连接到所述连接焊盘。
8.如权利要求1所述的扇出型半导体封装件,其中,所述第一连接构件包括:第一绝缘层;第一重新分布层和第二重新分布层,设置在所述第一绝缘层的背对的表面上;第二绝缘层,设置在所述第一绝缘层上,以覆盖所述第一重新分布层;第三重新分布层,设置在所述第二绝缘层上,所述第一重新分布层、所述第二重新分布层和所述第三重新分布层电连接到所述连接焊盘。
9.如权利要求8所述的扇出型半导体封装件,其中,所述第一连接构件还包括:第三绝缘层,设置在所述第一绝缘层上,以覆盖所述第二重新分布层;第四重新分布层,设置在所述第三绝缘层上,所述第四重新分布层电连接到所述连接焊盘。
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