[发明专利]真空干燥设备及显示面板的制备方法在审
申请号: | 201710249642.9 | 申请日: | 2017-04-17 |
公开(公告)号: | CN107962877A | 公开(公告)日: | 2018-04-27 |
发明(设计)人: | 余磊 | 申请(专利权)人: | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
主分类号: | B41J11/00 | 分类号: | B41J11/00;B41J2/01;H01L51/56 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人: | 郑彤 |
地址: | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 干燥设备 显示 面板 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及喷墨打印领域,特别是涉及一种真空干燥设备及显示面板的制备方法。
背景技术
有机发光二极管在全色显示、背光源及固态照明等方面有着广阔的应用前景而受到人们的广泛关注。基于喷墨打印技术的溶液加工型有机发光二极管由于具有成本低、容易实现大面积制作等优势而更加受到人们的青睐,但是器件性能(如:工作电压高,电流效率低等)与蒸镀型有机发光二极管还有一定的距离,因此,溶液型有机发光二极管需要在提高载流子迁移率和平衡载流子注入与传输方面大幅改善以提高器件整体性能。
喷墨打印技术所形成的像素内的薄膜会有咖啡环现象(薄膜中间薄边缘厚),这主要是由于边缘溶剂挥发速度较快形成由内到外的液流造成,为了消除或者减弱这种效应,喷墨打印技术所用的墨水体系一般都是由高低沸点的混合溶剂组成,高沸点溶剂由于挥发速度慢,在边缘处的高沸点溶剂组分高于内部而使局部蒸汽压低于内部,从而使液体由外向内流动。这种通过使用高低沸点溶剂的墨水在成膜干燥过程中,从宏观上可以提升薄膜的均匀性,但是墨水中的分子的排列取向无法控制,呈现出一种无序的状态,从而导致有机薄膜迁移率低,进一步地会降低喷墨打印机器件的性能。
发明内容
基于此,有必要提供一种能够使溶剂在均匀挥发的同时,实现分子排列取向的有效可控,从而最大程度地提高有机薄膜迁移率的真空干燥设备。
一种真空干燥设备,包括真空腔室、恒温装置以及电场发生装置;所述恒温装置位于所述真空腔室内以用于对待加工基板进行温度处理;所述电场发生装置具有第一金属板以及第二金属板,所述第一金属板以及所述第二金属板均设在所述真空腔室的内腔,所述第一金属板位于所述内腔的底面以用于放置待加工基板,所述第二金属板平行设在所述第一金属板的上方,所述第二金属板将所述真空腔室的内腔分隔成位于所述第一金属板与所述第二金属板之间的第一子腔室以及所述第二金属板另一侧的第二子腔室,所述第二金属板上具有多个连通所述第一子腔室与所述第二子腔室的挥发通孔,所述第一金属板与所述第二金属板用于连接电路。
在其中一个实施例中,所述真空泵通过抽气管路与所述真空腔室连接,所述抽气管路连通于所述第二子腔室。
在其中一个实施例中,所述第二子腔室从靠近所述第二金属板的一侧至靠近所述抽气管路的一侧逐渐收窄。
在其中一个实施例中,还包括真空泵,所述真空泵连通于所述第二子腔室以用于对所述第一子腔室与所述第二子腔室抽真空。
一种显示面板的制备方法,包括如下步骤:
(1)将有图案化阳极层的基板在紫外灯下紫外照射处理预设时间;
(2)制备空穴注入层:将配好墨水装入打印设备中,调节打印参数,使墨滴落入步骤(3)紫外处理后的所述有图案化阳极层的基板的像素区内,将该有图案化阳极层的基板转入权利要求1-4任意一项所述的真空干燥设备的真空腔室的内腔中,通过真空泵将真空腔室抽至压强为50Pa,电场发生装置的第一金属板与第二金属板之间的电场强度为3kv/cm,电场方向向上,使得有图案化阳极层的基板上的溶剂均匀挥发形成40nm厚度均匀的薄膜以得到第一薄膜化基板;将所述第一薄膜化基板在空气中150℃加热30min;
(3)制备空穴传输层:将配好墨水装入打印设备中,调节打印参数,使墨滴沉积在所述第一薄膜化基板上的薄膜上,并将该第一薄膜化基板转入所述真空腔室内腔中,通过所述真空泵将所述真空腔室抽至压强为30Pa,所述电场发生装置的所述第一金属板与所述第二金属板之间的电场强度为5kv/cm,电场方向向上,使得所述第一薄膜化基板上的溶剂均匀挥发形成40nm厚度均匀的薄膜以得到第二薄膜化基板;将所述第二薄膜化基板在空气中120℃加热20min;
(4)制备发光层:将荧光聚合物墨水装入打印设备中,调节打印参数,使三种墨滴分别沉积在所述第二薄膜化基板上的对应的像素区内,将该第二薄膜化基板转入所述真空腔室中,通过所述真空泵将所述真空腔室抽至压强为10Pa,所述电场发生装置的所述第一金属板与所述第二金属板之间的电场强度为5kv/cm,电场方向向上,使得所述第二薄膜化基板上的溶剂均匀挥发分别形成60nm、80nm以及80nm厚度均匀的发光层薄膜以得到第三薄膜化基板;将该第三薄膜化基板在氮气中120℃加热10min;
(5)制备电子注入层:在所述第三薄膜化基板的发光层薄膜上蒸镀一层1.5nm厚的空穴注入材料LiF形成电子注入层,蒸镀速率为真空度为2X10-4Pa;
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