[发明专利]用于静态随机存取存储器的温度补偿读取辅助电路

权利要求书

1.一种电路，包括：

字线；

多个存储器单元，所述多个存储器单元连接至所述字线；

下拉晶体管，所述下拉晶体管具有连接在所述字线与接地节点之间的源漏路径；以及

偏置电路，所述偏置电路被配置成用于向所述下拉晶体管的控制端子施加依赖于温度的偏置电压，

其中所述偏置电路包括：

第一二极管接法晶体管，所述第一二极管接法晶体管耦合在正电源电压节点与所述下拉晶体管的所述控制端子之间；以及

第二二极管接法晶体管，所述第二二极管接法晶体管耦合在所述下拉晶体管的所述控制端子与所述接地节点之间。

2.如权利要求1所述的电路，进一步包括字线驱动器电路，所述字线驱动器电路包括p沟道上拉晶体管，所述下拉晶体管是n沟道晶体管。

3.如权利要求1所述的电路，其中，所述第一二极管接法晶体管是n沟道晶体管，并且所述第二二极管接法晶体管是p沟道晶体管。

4.如权利要求1所述的电路，其中，所述第一二极管接法晶体管是n沟道晶体管。

5.如权利要求1所述的电路，其中，所述依赖于温度的偏置电压根据所述第一二极管接法晶体管的阈值电压的依赖于温度的变化而变化。

6.如权利要求1所述的电路，其中，所述依赖于温度的偏置电压对于较低温度而言是相对较低的而对于较高温度而言是相对较高的。

7.一种电路，包括：

字线；

多个存储器单元，所述多个存储器单元连接至所述字线；

下拉晶体管，所述下拉晶体管具有连接在所述字线与接地节点之间的源漏路径；以及

偏置电路，所述偏置电路被配置成用于向所述下拉晶体管的控制端子施加依赖于温度的偏置电压，

其中所述偏置电路包括钳位电路，所述钳位电路被操作为将所述依赖于温度的偏置电压的最小值钳位至高于所述接地节点处的电压的电压电平。

8.一种电路，包括：

字线；

多个存储器单元，所述多个存储器单元连接至所述字线；

字线驱动器电路，所述字线驱动器电路包括p沟道上拉晶体管；

n沟道下拉晶体管，所述n沟道下拉晶体管具有连接在所述字线与接地节点之间的源漏路径；以及

n沟道二极管接法晶体管，所述n沟道二极管接法晶体管具有连接在正电源节点与所述n沟道下拉晶体管的栅极端子之间的源漏路径，所述n沟道二极管接法晶体管被配置成用于向所述n沟道下拉晶体管的所述栅极端子施加依赖于温度的偏置电压。

9.如权利要求8所述的电路，进一步包括p沟道二极管接法晶体管，所述p沟道二极管接法晶体管耦合在所述下拉晶体管的所述栅极端子与所述接地节点之间。

10.一种电路，包括：

字线；

多个存储器单元，所述多个存储器单元连接至所述字线；

字线驱动器电路，所述字线驱动器电路包括p沟道上拉晶体管；

n沟道下拉晶体管，所述n沟道下拉晶体管具有连接在所述字线与接地节点之间的源漏路径；以及

n沟道二极管接法晶体管，所述n沟道二极管接法晶体管具有连接在正电源节点与所述n沟道下拉晶体管的栅极端子之间的源漏路径，所述n沟道二极管接法晶体管被配置成用于向所述n沟道下拉晶体管的所述栅极端子施加偏置电压，所述偏置电压对于相对较低的温度而言是相对较低的电压并且对于相对较高的温度而言是相对较高的电压。

11.如权利要求10所述的电路，进一步包括p沟道二极管接法晶体管，所述p沟道二极管接法晶体管耦合在所述下拉晶体管的所述栅极端子与所述接地节点之间，并且起到钳位所述n沟道下拉晶体管的所述栅极端子处的最小电压的作用。