[发明专利]半导体封装结构的制作方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

在晶圆的第一主动面上形成第一光致抗蚀剂层，且所述晶圆由多条预定切割线划分出多个芯片区；

通过微影制程移除部分所述第一光致抗蚀剂层以形成彼此分离的多个第二光致抗蚀剂层，且所述多个第二光致抗蚀剂层分别位于所述多个芯片区内；

沿所述多个预定切割线切割所述晶圆以得到多个芯片，且所述多个第二光致抗蚀剂层的每一个局部覆盖对应的所述芯片的第二主动面；

形成封装胶体以包覆所述多个芯片的任一个，并使局部覆盖所述芯片的所述第二主动面的所述第二光致抗蚀剂层暴露于外；以及

通过微影制程移除所述第二光致抗蚀剂层，以暴露出所述芯片的所述第二主动面的局部。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成所述封装胶体以包覆所述多个芯片的任一个前，使所述芯片电性连接在所述线路载板。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述芯片通过多条导线电性连接于所述线路载板，且所述多条导线的每一个的其中一端部接合在所述芯片的所述第二主动面被所述第二光致抗蚀剂层所覆盖的区域以外。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二光致抗蚀剂层的上表面暴露在所述封装胶体外，并与所述封装胶体的顶面齐平。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，在形成所述封装胶体以包覆所述芯片时，通过模具抵贴所述第二光致抗蚀剂层的上表面。

6.一种半导体封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

在芯片的主动面上形成第一光致抗蚀剂层；

通过微影制程移除部分所述第一光致抗蚀剂层以形成第二光致抗蚀剂层，且所述第二光致抗蚀剂层局部覆盖所述芯片的所述主动面；

形成封装胶体以包覆所述芯片，并使局部覆盖所述芯片的所述主动面的所述第二光致抗蚀剂层暴露于外；以及

通过微影制程移除所述第二光致抗蚀剂层，以暴露出所述芯片的所述主动面的局部。

7.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成所述封装胶体以包覆所述芯片前，使所述芯片电性连接在所述线路载板。

8.根据权利要求7所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述芯片通过多条导线电性连接在所述线路载板，且所述多条导线的每一个的其中一端部接合在所述芯片的所述主动面被所述第二光致抗蚀剂层所覆盖的区域以外。

9.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，所述第二光致抗蚀剂层的上表面暴露在所述封装胶体外，并与所述封装胶体的顶面齐平。

10.根据权利要求6所述的半导体封装结构的制作方法，其特征在于，在形成所述封装胶体以包覆所述芯片时，通过模具抵贴所述第二光致抗蚀剂层的上表面。