[发明专利]半导体封装结构的制作方法

说明书

本发明提供一种半导体封装结构的制作方法，其包括以下步骤。首先，在晶圆的第一主动面上形成第一光致抗蚀剂层，且晶圆由多条预定切割线划分出多个芯片区。接着，通过微影制程移除部分第一光致抗蚀剂层以形成彼此分离的多个第二光致抗蚀剂层，且这些第二光致抗蚀剂层分别位于这些芯片区内。接着，沿这些预定切割线切割晶圆以得到多个芯片，且各个第二光致抗蚀剂层局部覆盖对应的芯片的第二主动面。接着，形成封装胶体以包覆任一个芯片，并使第二光致抗蚀剂层暴露在外。之后，通过微影制程移除第二光致抗蚀剂层，以暴露出芯片的第二主动面的局部。

技术领域

本发明涉及一种封装结构的制作方法，尤其涉及一种半导体封装结构的制作方法。

背景技术

现有的半导体封装制程，在使芯片以打线接合的方式而电性连接在线路载板后，通常会接续进行封胶步骤，例如：将电性连接后的芯片与线路载板置入模具内，并将封装胶体填入模具内，使固化后的封装胶体包覆芯片的至少部分、芯片与导线的电性接合处以及线路载板与导线的电性接合处，藉以防止导线受潮或受外力而遭破坏。

以芯片的主动面的局部暴露在外的半导体封装结构为例，其模具面向芯片的主动面的内壁面通常设有凹凸结构，并使缓冲膜贴合在凹凸结构上，藉以避免凹凸结构的凸部直接碰触芯片的主动面。然而，上述封胶步骤有以下缺点：(1)凹凸结构的凸部通过缓冲膜抵贴芯片的主动面，倘缓冲膜未能紧密地抵贴芯片的主动面，则固化前的封装胶体易流入缓冲膜与芯片的主动面之间，进而产生封装胶体残留在芯片的主动面的情况；(2)芯片的尺寸不一，模具的内壁面上的凹凸结构需视不同尺寸的芯片而调整，使得成本大幅提高。

发明内容

本发明提供一种半导体封装结构的制作方法，其有助于降低制作成本并提高产品良率。

本发明提出一种半导体封装结构的制作方法，其包括以下步骤。首先，在晶圆的第一主动面上形成第一光致抗蚀剂层，且晶圆由多条预定切割线划分出多个芯片区。接着，通过微影制程移除部分第一光致抗蚀剂层以形成彼此分离的多个第二光致抗蚀剂层，且这些第二光致抗蚀剂层分别位于这些芯片区内。接着，沿这些预定切割线切割晶圆以得到多个芯片，且各个第二光致抗蚀剂层局部覆盖对应的芯片的第二主动面。接着，形成封装胶体以包覆任一个芯片，并使局部覆盖芯片的第二主动面的第二光致抗蚀剂层暴露于外。之后，通过微影制程移除第二光致抗蚀剂层，以暴露出芯片的第二主动面的局部。

在本发明的一实施例中，上述的半导体封装结构的制作方法还包括在形成封装胶体以包覆任一个芯片前，使芯片电性连接在线路载板。

在本发明的一实施例中，上述的芯片通过多条导线电性连接在线路载板，且各个导线的其中一端部接合在芯片的第二主动面被第二光致抗蚀剂层所覆盖的区域以外。

在本发明的一实施例中，上述的第二光致抗蚀剂层的上表面暴露在封装胶体外，并与封装胶体的顶面齐平。

在本发明的一实施例中，上述的在形成封装胶体以包覆芯片时，通过模具抵贴第二光致抗蚀剂层的上表面。

本发明提出另一种半导体封装结构的制作方法，其包括以下步骤。首先，在芯片的主动面上形成第一光致抗蚀剂层。接着，通过微影制程移除部分第一光致抗蚀剂层以形成第二光致抗蚀剂层，且第二光致抗蚀剂层局部覆盖芯片的主动面。接着，形成封装胶体以包覆芯片，并使局部覆盖芯片的主动面的第二光致抗蚀剂层暴露于外。之后，通过微影制程移除第二光致抗蚀剂层，以暴露出芯片的主动面的局部。

基于上述，本发明的半导体封装结构的制作方法在封胶步骤前，使光致抗蚀剂层局部覆盖芯片的主动面，在封胶步骤后，通过微影制程移除光致抗蚀剂层以使芯片的主动面的局部暴露在封装胶体外。因此，本发明的半导体封装结构的制作方法不仅有助于降低制作成本，也能提高产品良率。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明