[发明专利]非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器结构，包括：

基底；

至少一存储单元，设置于该基底上，且具有位于该基底中的一通道区；以及

第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，在朝向该通道区的一排列方向上依序设置在该基底中，且该第一掺杂区最远离该通道区，其中该第一掺杂区与该第三掺杂区为一第一导电型，且该第二掺杂区为一第二导电型，

其中在进行提供空穴至该通道区的操作时，施加一第一电压至该第一掺杂区，施加一第二电压至该第二掺杂区，施加一第三电压至该第三掺杂区，该第一电压大于该第二电压，且该第二电压大于该第三电压。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该至少一存储单元包括：

第一介电层，设置于该基底上；

电荷存储层，设置于该第一介电层上；

第二介电层，设置于该电荷存储层上；以及

导体层，设置于该第二介电层上。

3.如权利要求2所述的非挥发性存储器结构，其中该电荷存储层的材料包括掺杂多晶硅或氮化硅。

4.如权利要求2所述的非挥发性存储器结构，其中该至少一存储单元还包括两个第四掺杂区，设置于该导体层两侧的该基底中，且该通道区位于相邻两个第四掺杂区之间。

5.如权利要求4所述的非挥发性存储器结构，其中该至少一存储单元的数量为多个，且由该些存储单元串接成一存储单元串。

6.如权利要求5所述的非挥发性存储器结构，其中相邻两个存储单元共用一个第四掺杂区。

7.如权利要求5所述的非挥发性存储器结构，还包括第五掺杂区与第六掺杂区，分别设置于该存储单元串两侧的该基底中。

8.如权利要求7所述的非挥发性存储器结构，还包括：

源极线接触窗，电连接至该第五掺杂区；以及

位线接触窗，电连接至该第六掺杂区。

9.如权利要求7所述的非挥发性存储器结构，还包括：

第一选择栅极结构，设置于该第五掺杂区与该存储单元串的一末端之间；以及

第二选择栅极结构，设置于该第六掺杂区与该存储单元串的另一末端之间。

10.如权利要求9所述的非挥发性存储器结构，还包括：

第一虚拟存储单元，设置于该第一选择栅极结构与该存储单元串的一末端之间；以及

第二虚拟存储单元，设置于该第二选择栅极结构与该存储单元串的另一末端之间。

11.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该排列方向为朝向该基底的表面的方向。

12.如权利要求11所述的非挥发性存储器结构，其中该第二掺杂区的两末端更延伸至该基底的表面，以包围存储单元区。

13.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该排列方向平行于通道长度方向。

14.如权利要求13所述的非挥发性存储器结构，其中该第一掺杂区位于源极线接触窗下方。

15.如权利要求13所述的非挥发性存储器结构，还包括隔离用掺杂区，设置于该第一掺杂区、该第二掺杂区与该第三掺杂区下方，且该隔离用掺杂区的两末端还延伸至该基底的表面，以包围存储单元区。

16.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该第一导电型为N型与P型中的一者，且该第二导电型为N型与P型中的另一者。

17.如权利要求1所述的非挥发性存储器结构，其中该第一电压、该第二电压与该第三电压为正电压或负电压。