[发明专利]非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法

说明书

本发明公开一种非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法，包括基底、至少一个存储单元、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。存储单元设置于基底上，且具有位于基底中的通道区。第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区在朝向通道区的排列方向上依序设置在基底中，且第一掺杂区最远离通道区。第一掺杂区与第三掺杂区为第一导电型，且第二掺杂区为第二导电型。

技术领域

本发明涉及一种存储器结构及其操作方法，且特别是涉及一种非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法。

背景技术

由于非挥发性存储器具有存入的数据在断电后也不会消失的优点，因此许多电器产品中必须具备此类存储器，以维持电器产品开机时的正常操作。然而，在对非挥发性存储器中的选定存储单元(selected cell)进行编程操作时，常会对其附近的非选定存储单元造成编程干扰(program disturbance)。

发明内容

本发明提供一种非挥发性存储器结构及防止其产生编程干扰的方法，由此可有效地防止产生编程干扰。

本发明提出一种非挥发性存储器结构，包括基底、至少一个存储单元、第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。存储单元设置于基底上，且具有位于基底中的通道区。第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区在朝向通道区的排列方向上依序设置在基底中，且第一掺杂区最远离通道区。第一掺杂区与第三掺杂区为第一导电型，且第二掺杂区为第二导电型。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，存储单元包括第一介电层、电荷存储层、第二介电层与导体层。第一介电层设置于基底上。电荷存储层设置于第一介电层上。第二介电层设置于电荷存储层上。导体层设置于第二介电层上。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，电荷存储层的材料例如是掺杂多晶硅或氮化硅。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，存储单元还可包括两个第四掺杂区。第四掺杂区设置于导体层两侧的基底中，且通道区位于相邻两个第四掺杂区之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，存储单元的数量例如是多个，且可由存储单元串接成存储单元串。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，相邻两个存储单元可共用一第四个掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，还可包括第五掺杂区与第六掺杂区。第五掺杂区与第六掺杂区分别设置于存储单元串两侧的基底中。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，还可包括源极线接触窗与位线接触窗。源极线接触窗电连接至第五掺杂区。位线接触窗电连接至第六掺杂区。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，还可包括第一选择栅极结构与第二选择栅极结构。第一选择栅极结构设置于第五掺杂区与存储单元串的一末端之间。第二选择栅极结构设置于第六掺杂区与存储单元串的另一末端之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，还可包括第一虚拟存储单元与第二虚拟存储单元。第一虚拟存储单元设置于第一选择栅极结构与存储单元串的一末端之间。第二虚拟存储单元设置于第二选择栅极结构与存储单元串的另一末端之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，排列方向例如是朝向基底的表面的方向。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，第二掺杂区的两末端还可延伸至基底的表面，以包围存储单元区。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，排列方向例如是平行于通道长度方向。

依照本发明的一实施例所述，在上述非挥发性存储器结构中，第一掺杂区例如是位于源极线接触窗下方。