[发明专利]高压元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高压元件，其特征在于，包含：

一半导体基板，于一垂直方向上，具有相对的一上表面与一下表面；

一绝缘结构，形成于该上表面上，用以定义一元件区；

一栅极，形成于该半导体基板的该上表面上的该元件区中；

一本体区，具有一第一导电型，形成于该上表面下的该元件区中，且部分该本体区位于该栅极正下方；

一阱，具有一第二导电型，形成于该上表面下的该元件区中，该阱于一横向上与该本体区邻接，而形成一接面，且该接面位于该栅极正下方；

一源极与一漏极，具有该第二导电型，形成于该上表面下的该元件区中，分别位于该栅极下方的外部靠近该本体区侧与远离该本体区侧，且该漏极与该栅极间，由该阱分开；以及

一轻掺杂扩散LDD区，具有该第一导电型，形成于该上表面下的该元件区中的该阱上，于该横向上，该LDD区介于该栅极与该漏极之间，且该LDD区不与该漏极邻接。

2.如权利要求1所述的高压元件，其中，还包含一场氧化区，形成于该上表面上的该元件区中，且部分该场氧化区位于该栅极正下方，且其他部分的场氧化区位于该栅极与该漏极之间。

3.如权利要求2所述的高压元件，其中，该LDD区在横向上的两侧与该场氧化区邻接。

4.如权利要求2所述的高压元件，其中，该LDD区由剖视图视之，其深度自该半导体基板的该上表面开始沿着该垂直方向而向下计算，不深于该场氧化区。

5.如权利要求1所述的高压元件，其中，还包含一轻掺杂阱，具有该第二导电型，形成于该上表面下的该元件区中，该轻掺杂阱于该横向上的两侧与该阱连接，且该轻掺杂阱的第二导电型杂质浓度低于该阱的第二导电型杂质浓度。

6.如权利要求1所述的高压元件，其中，该LDD区完全不位于该栅极正下方。

7.如权利要求1所述的高压元件，其中，该LDD区于导通及不导通操作时浮接。

8.一种高压元件制造方法，其特征在于，包含：

提供一半导体基板，于一垂直方向上，其具有相对的一上表面与一下表面；

形成一绝缘结构于该上表面上，用以定义一元件区；

形成一栅极于该半导体基板的该上表面上的该元件区中；

形成一本体区于该上表面下的该元件区中，该本体区具有一第一导电型，且部分该本体区位于该栅极正下方；

形成一阱于该上表面下的该元件区中，该阱具有一第二导电型，且该阱于一横向上与该本体区邻接，而形成一接面，且该接面位于该栅极正下方；

形成一源极与一漏极于该上表面下的该元件区中，该源极与该漏极具有该第二导电型，分别位于该栅极下方的外部靠近该本体区侧与远离该本体区侧，且该漏极与该栅极间，由该阱分开；以及

形成一轻掺杂扩散LDD区于该上表面下的该元件区中的该阱上，该LDD区具有该第一导电型，于该横向上，该LDD区介于该栅极与该漏极之间，且该LDD区不与该漏极邻接。

9.如权利要求8所述的高压元件制造方法，其中，还包含形成一场氧化区于该上表面上的该元件区中，且部分该场氧化区位于该栅极正下方，且其他部分的场氧化区位于该栅极与该漏极之间。

10.如权利要求9所述的高压元件制造方法，其中，该LDD区在横向上的两侧与该场氧化区连接。

11.如权利要求9所述的高压元件制造方法，其中，该LDD区由剖视图视之，其深度自该半导体基板的该上表面开始沿着该垂直方向而向下计算，不深于该场氧化区。

12.如权利要求8所述的高压元件制造方法，其中，还包含形成一轻掺杂阱，具有该第二导电型，形成于该上表面下的该元件区中，该轻掺杂阱于该横向上的两侧与该阱连接，且该轻掺杂阱的第二导电型杂质浓度低于该阱的第二导电型杂质浓度。