[发明专利]一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710253962.1 申请日: 2017-04-18
公开(公告)号: CN107082577B 公开(公告)日: 2019-10-11
发明(设计)人: 谈国强;郭美佑;杨玮;刘云;任慧君;夏傲 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: C03C17/34 分类号: C03C17/34;C04B35/40;C04B35/622
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 岳培华
地址: 710021 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 hosrmnzn 共掺铁酸铋 mn 掺铁酸锌 复合 薄膜 及其 制备 方法
【说明书】:

发明提供了一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法,该复合膜包括复合在一起的Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3铁电膜和Zn1‑xMnxFe2O4磁性膜;先在基片上旋涂制备多层Zn1‑xMnxFe2O4磁性薄膜,然后在磁性薄膜上旋涂制备多层Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3膜,得到该复合薄膜。本发明采用溶胶凝胶工艺,用多种元素掺杂对铁电膜晶体结构进行调控改善薄膜的铁电性能,提高铁电测试和漏电流测试的抗击穿性能,同时用强磁性尖晶石结构的Zn1‑xMnxFe2O4作为磁性层,获得优异磁电耦合性能的复合薄膜。

技术领域

本发明属于功能材料领域,涉及在功能化的FTO/glass基板表面制备HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜,具体为多铁性Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3/Zn1-xMnxFe2O4复合薄膜。

背景技术

单相磁电多铁性材料至今还没能应用到实际中,主要是因为大部分单相材料的居里温度较低,在极低的温度下才有磁电效应,且磁电效应很微弱。尽管单相BiFeO3材料的居里温度和尼尔温度都在室温以上,但是由于BiFeO3的螺旋磁结构,使得BiFeO3呈G型反铁磁性,在低电场下仅表现出微弱的铁磁性,其较小的磁电耦合特性阻碍了其在多铁方面的实际应用。相反,多铁性磁电复合材料可具有室温下的强磁电效应,因而有实际应用价值。

虽然掺杂后的BiFeO3薄膜在性能上有明显的改善,但是对于薄膜的磁性能还有很大的提升空间。尖晶石型铁氧体的薄膜在光学性质、电学性质、磁学性质等众多方面展现出许多新型的特性。Zn1-xMnxFe2O4属于尖晶石型铁氧体是一种多功能半导体材料,是一种重要的磁性材料。目前,还没有关于多铁性Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3/Zn1-xMnxFe2O4复合薄膜及其制备方法的相关报道。

发明内容

本发明的目的在于提供一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法,该方法设备要求简单,实验条件容易达到,掺杂量容易控制,制得的薄膜为多铁性Bi0.89Ho0.08Sr0.03Fe0.95Mn0.03Zn0.02O3/Zn1-xMnxFe2O4复合薄膜,能够有效提高BiFeO3薄膜的耐击穿性能,同时改善其铁电和铁磁性能。

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