[发明专利]半导体存储元件

权利要求书

1.一种半导体存储元件，包含：

第一P型阱区，该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行；

第二P型阱区，该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行；

N型阱区，延着该第一方向延伸，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间；

其中，当由一平面图视向该半导体存储元件时，满足以下条件：

(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域，各该第一区域沿着该第一方向排列；

(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域，至少一第三区域以及至少一第四区域，该第一区域、该第二区域；该第三区域以及该第四区域彼此互不重叠；

(3)各该第二区域内还包含有第一电压接触件，直接接触该N型阱区，并提供一第一电压至该N型阱区，各该第三区域内还包含有第二电压接触件，直接接触该第一P型阱区，并提供一第二电压至该第一P型阱区，各该第四区域内还包含有第三电压接触件，直接接触该第二P型阱区，并提供一第三电压至该第二P型阱区；以及

(4)每一个第一区域内都包含有一个存储单元，各该存储单元并不位于该第二区域、该第三区域或该第四区域内，其中每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管，各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内，而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。

2.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中还包含有第一位线、第二位线以及多条字符线，每一个存储单元都包含有第一反向器以及第二反向器，该第一反向器包含有第一N型晶体管以及第一P型晶体管，该第二反向器包含有第二N型晶体管以及第二P型晶体管，且该第一反向器与该第二反向互相耦合，一第三N型晶体管，该第三N型晶体管具有源极以及漏极，分别与该第一反向器的该输出端以及该第一位线相连，一第四N型晶体管，该第四N型晶体管具有一源极以及一漏极，分别与该第二反向器的该输出端以及该第二位线相连，且该第三N型晶体管的一栅极以及该第四N型晶体管的一栅极都与该多条字符线中的其中一条字符线相连。

3.如权利要求2所述的半导体存储元件，其中各该存储单元中的该第一P型晶体管与该第二P型晶体管位于该N型阱区的该范围内，该第一N型晶体管与该第三N型晶体管位于该第一P型阱区的该范围内，该第二N型晶体管与该第四N型晶体管位于该第二P型阱区的该一范围内。

4.如权利要求2所述的半导体存储元件，其中该第一区域内还包含:

与该第三N型晶体管以及该第一位线相连的第一接触；

与该第四N型晶体管以及该第二位线相连的第二接触；

与该多条字符线中的其中一条以及该第三N型晶体管的该栅极相连的第三接触；以及

与该多条字符线中的其中一条以及该第四N型晶体管的该栅极相连的第四接触。

5.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第一区域内并不包含有提供该第一电压予该N型阱区的接触结构。

6.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第一区域内并不包含有提供该第二电压予该第一P型阱区的接触结构。

7.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第一区域内并不包含有提供该第三电压予该第二P型阱区的接触结构。

8.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第二电压与该第三电压来源不同。

9.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中该第二电压与该第三电压来源相同。

10.如权利要求1所述的半导体存储元件，其中还包含有多条存储列，每一个存储列包含有多个沿着该第一方向排列的该存储单元。

11.如权利要求10所述的半导体存储元件，其中每一个存储列还包含有：

M个第一存储群组，每一个第一存储群组包含有N个第一区域，其中N＝2n，n为大于1的整数；以及

该第二区域、该第三区域以及该第四区域，位于两相邻的第一存储群组之间。