[发明专利]半导体存储元件

说明书

本发明公开一种半导体存储元件，包含一存储列，多个存储单元，一第一P型阱区，一第二P型阱区，以及一N型阱区，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。该半导体存储元件定义有多个第一区域、多个第二区域、多个第三区域以及多个第四区域，每一个第一区域内都包含有一个该存储单元，各该第二区域、各该第三区域以及各该第四区域内，各自包含有一个电压接触件，以提供电压至该第一P型阱区，该第二P型阱区以及该N型阱区。另外该第一区域至该第四区域彼此之间不互相重叠。

技术领域

本发明涉及一种半导体存储元件，尤其是涉及一种由静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)组成的半导体存储元件。

背景技术

在一嵌入式静态随机存取存储器(embedded static random access memory,embedded SRAM)中，包含有逻辑电路(logic circuit)和与逻辑电路连接的静态随机存取存储器。静态随机存取存储器本身属于一种挥发性(volatile)的存储单元(memory cell)，亦即当供给静态随机存取存储器的电力消失之后，所存储的数据会同时抹除。静态随机存取存储器存储数据的方式是利用存储单元内晶体管的导电状态来达成，静态随机存取存储器的设计是采用互耦合晶体管为基础，没有电容器放电的问题，不需要不断充电以保持数据不流失，也就是不需作存储器更新的动作，这与同属挥发性存储器的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)利用电容器带电状态存储数据的方式并不相同。静态随机存取存储器的存取速度相当快，因此有在电脑系统中当作快取存储器(cachememory)等的应用。

发明内容

本发明提供一种半导体存储元件，包含一第一P型阱区，该第一P型阱区的延伸方向与一第一方向平行，一第二P型阱区，该第二P型阱区的延伸方向与该第一方向平行，一N型阱区，沿着该第一方向延伸，该N型阱区位于该第一P型阱区以及该第二P型阱区之间。

其中，当由一平面图视向该半导体存储元件时，满足以下条件：(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域，各该第一区域沿着该第一方向排列；(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域，至少一第三区域以及至少一第四区域，该第一区域、该第二区域；该第三区域以及该第四区域彼此互不重叠；(3)各该第二区域内还包含有一第一电压接触件，直接接触该N型阱区，并提供一第一电压至该N型阱区，各该第三区域内还包含有一第二电压接触件，直接接触该第一P型阱区，并提供一第二电压至该第一P型阱区，各该第四区域内还包含有一第三电压接触件，直接接触该第二P型阱区，并提供一第三电压至该第二P型阱区；以及(4)每一个第一区域内都包含有一个存储单元，各该存储单元并不位于该第二区域、该第三区域或该第四区域内，其中每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管，各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内，而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。

在本发明的另外一实施例中，当由一平面图视向该半导体存储元件时，满足以下条件：(1)该半导体存储元件定义有多个第一区域，各该第一区域沿着该第一方向排列；(2)该半导体存储元件定义有至少一第二区域，至少一第三区域以及至少一第四区域，该第一区域、该第二区域；该第三区域以及该第四区域彼此互不重叠；(3)各该第二区域内还包含有一第一电压接触件，直接接触该N型阱区，并提供一第一电压至该N型阱区，各该第三区域内还包含有一第二电压接触件，直接接触该第一P型阱区，并提供一第二电压至该第一P型阱区，各该第四区域内还包含有一局部连接件，直接接触该第二P型阱区以及该第一P型阱区，并提供该第二电压至该第二P型阱区；以及(4)每一个第一区域内都包含有一个存储单元，各该存储单元并不位于该第二区域、该第三区域或该第四区域内，其中每一个该存储单元都包含有多个N型晶体管以及多个P型晶体管，各该P型晶体管都位于该N型阱区的一范围内，而各该N型晶体管位于该第一P型阱区的一范围内或该第二P型阱区的一范围内。

附图说明