[发明专利]一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法有效

专利信息
申请号: 201710256533.X 申请日: 2017-04-19
公开(公告)号: CN107025073B 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 尹超;赵鑫鑫;李朋;姜凯 申请(专利权)人: 浪潮集团有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 37100 济南信达专利事务所有限公司 代理人: 姜明
地址: 250100 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 nandflash 阵列 mapping 信息 存储 方法
【权利要求书】:

1.一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法,其特征在于,所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志,当系统上电时,根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载,避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失;

所述方法实现步骤如下:

首先上电系统会读取NOR FLASH中每列NAND FLASH的Mapping信息的上次更新成功与否标志;

当更新成功时,则读取对应NAND FLASH列的第二Mapping信息,否则读取第一Mapping信息,直到加载完NAND FLASH阵列的所有列的Mapping信息;

系统运行期间,NOR FLASH控制器会周期性的遍历所有列的NAND FLASH的Mapping信息是否改变的标志,当发生改变时,则更新对应列的NAND FLASH的Mapping信息,更新完成时,则将对应列的更新成功标志位置起,否则为更新失败。

2.根据权利要求1所述的一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法,其特征在于,NORFLASH控制器能够根据用户指令将第二Mapping信息复制到第一Mapping信息。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浪潮集团有限公司,未经浪潮集团有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710256533.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top