[发明专利]一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法

说明书

本发明公开了一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失。本发明方法具有方便简单，操作方便等特点，能够通过记录不同列的两个Mapping信息及更新标志位，保证Mapping信息的加载。

技术领域

本发明涉及高速大容量存储技术领域，具体涉及一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法。

背景技术

在雷达及航天等领域，对存储设备的容量及读写速率要求非常苛刻，单一的NANDFLASH无法满足要求，因此NAND FLASH阵列显得尤为必要。

NAND FLASH阵列的Mapping信息可以避免对NAND FLASH的坏块访问，从而提高NAND FLASH的存储性能。因此,NAND FLASH阵列的Mapping信息的存储非常重要。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：本发明针对以上问题，提供一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法。

本发明所采用的技术方案为：

一种NAND FLASH阵列Mapping信息存储方法，所述方法通过NOR FLASH存储每列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息和更新成功标志，当系统上电时，根据更新成功标志选择对应的Mapping信息进行加载，避免当更新Mapping表时系统断电导致初始Mapping信息的丢失。

NAND FLASH阵列中的每一列共用一个Mapping信息，即一列中的其中一个NANDFLASH产生坏块，则该列其他NAND FLASH的对应BLOCK地址为坏块。

NOR FLASH中包含每一列NAND FLASH的第一和第二Mapping信息及更新成功标志位，第一Mapping信息为备用的Mapping信息，避免在更新Mapping信息过程中断电，从而丢失初始Mapping信息。

所述方法通过更新控制器定期性地查询当前内部RAM中的Mapping信息是否发生改变，如果发生改变，则启动更新模块对对应列的NAND FLASH 的Mapping信息进行更新。

系统上电时，根据每列的NAND FLASH更新成功标志位进行每列NAND FLASH的Mapping信息的加载，当更新失败时，则加载第一Mapping信息，否则加载第二Mapping信息。

所述方法实现步骤如下：

首先上电系统会读取NOR FLASH中每列NAND FLASH的Mapping信息的上次更新成功与否标志；

当更新成功时，则读取对应NAND FLASH列的第二Mapping信息，否则读取第一Mapping信息，直到加载完NAND FLASH阵列的所有列的Mapping信息；

系统运行期间，NOR FLASH控制器会周期性的遍历所有列的NAND FLASH的Mapping信息是否改变的标志，当发生改变时，则更新对应列的NAND FLASH的Mapping信息，更新完成时，则将对应列的更新成功标志位置起，否则为更新失败。

NOR FLASH控制器能够根据用户指令将第二Mapping信息复制到第一Mapping信息，保证第一Mapping信息为较新的Mapping信息。

本发明的有益效果为：

本发明方法具有方便简单，操作方便等特点，能够通过记录不同列的两个Mapping信息及更新标志位，保证Mapping信息的加载。

附图说明