[发明专利]封装结构及其制造方法在审
申请号: | 201710261068.9 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107424938A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 张家维;方立志;林国鼎;庄咏程 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/52 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装结构,包括:
重布线路层,其具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面;
至少一第一晶粒以及多个导电端子,其中所述第一晶粒以及所述导电端子与所述重布线路层电性连接,且所述第一晶粒以及所述导电端子位于所述重布线路层的所述第一表面上;
第一密封体,密封所述第一晶粒以及所述导电端子,其中所述第一密封体暴露出所述导电端子的至少一部分;
多个焊球,与所述导电端子电性连接,其中所述焊球位于被所述第一密封体暴露出的所述导电端子上;
多个第二晶粒,与所述重布线路层电性连接且位于所述重布线路层的所述第二表面上;以及
第二密封体,密封所述第二晶粒。
2.根据权利要求1所述的封装结构,还包括多个无源元件,所述无源元件位于所述重布线路层的所述第二表面上且对应所述导电端子设置。
3.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述第二晶粒彼此堆叠。
4.根据权利要求1所述的封装结构,其中所述第一晶粒以倒装芯片方式与所述重布线路层电性连接。
5.一种封装结构的制造方法,包括:
在载板上形成重布线路层,其中所述重布线路层具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面,且所述重布线路层的所述第二表面面向所述载板;
在所述重布线路层的所述第一表面上形成多个导电端子;
在所述重布线路层的所述第一表面上形成至少一第一晶粒;
通过第一密封体密封所述第一晶粒;
通过第一密封体密封所述导电端子,其中所述第一密封体暴露出所述导电端子的至少一部分;
将所述重布线路层的所述第二表面与所述载板分离;
在所述重布线路层的所述第二表面上形成多个第二晶粒;
通过第二密封体密封所述第二晶粒;以及
在被所述第一密封体暴露出的所述导电端子上形成多个焊球。
6.一种封装结构的制造方法,包括:
在载板上形成至少一第一晶粒;
通过第一密封体密封所述第一晶粒;
在所述第一密封体上形成重布线路层,其中所述重布线路层具有第一表面以及相对于所述第一表面的第二表面,且所述重布线路层的所述第一表面面向所述第一密封体;
将所述第一密封体以及所述第一晶粒与所述载板分离;
在所述重布线路层的所述第二表面上形成多个第二晶粒;
通过第二密封体密封所述第二晶粒;以及
在所述重布线路层的所述第一表面上形成多个导电端子。
7.根据权利要求6所述的封装结构的制造方法,其中在所述第一表面上形成所述导电端子的步骤包括:
在所述第一密封体中形成多个开口以暴露出所述重布线路层的所述第一表面;以及
在所述开口中形成所述导电端子。
8.根据权利要求6所述的封装结构的制造方法,其中密封所述第一晶粒的步骤在形成所述导电端子的步骤之前执行。
9.根据权利要求6所述的封装结构的制造方法,其中密封所述第一晶粒的步骤包括:
在所述第一晶粒上形成密封材料;以及
减薄所述密封材料的厚度,以暴露出所述第一晶粒的至少一部分。
10.根据权利要求6所述的封装结构的制造方法,其中在分离所述第一密封体以及所述第一晶粒与所述载板之后,还包括:
减薄所述密封材料以及所述第一晶粒的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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