[发明专利]一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩

权利要求书

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括：

利用光罩曝光显影铺设于所述TFT基板上的光阻层，以使曝光显影后的所述光阻层包括第一部分及位于所述第一部分侧边的第二部分，且所述第一部分的最小厚度大于所述第二部分的最大厚度；

刻蚀位于所述光阻层下的所述TFT基板的第一金属层；且使所述光阻层的所述第一部分不突出于所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边；

灰化所述光阻层，以去除所述光阻层的所述第二部分；

以所述光阻层的所述第一部分为掩膜，刻蚀设置于所述第一金属层下的半导体层，以使所述半导体层的侧边不突出于所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述光阻层的所述第一部分与所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边对齐，以使所述半导体层的侧边与所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边对齐。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，

所述光罩包括衬底及设置于所述衬底两端的半透膜；且所述半透膜包括与所述衬底的所述两端贴合的第一部分及突出于所述衬底的所述两端的第二部分；

利用所述设有所述半透膜的所述第一部分的光罩部分曝光显影所述光阻层，以获得所述光阻层的第一部分；利用所述设有所述半透膜的所述第二部分的光罩部分曝光显影所述光阻层，以获得所述光阻层的第二部分。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，

所述衬底还设有开口；所述半透膜还包括封闭所述开口的第三部分；

利用所述设有所述半透膜的所述第一部分及第三部分的光罩部分曝光显影所述光阻层，以获得所述光阻层的第一部分；利用所述设有所述半透膜的所述第二部分的光罩部分曝光显影所述光阻层，以获得所述光阻层的第二部分。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，

在所述以所述光阻层的所述第一部分为掩膜，刻蚀设置于所述第一金属层下的半导体层，以使所述半导体层的侧边不突出于所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边之后还包括：

部分灰化所述光阻层的所述第一部分，以暴露所述第一金属层；

以所述灰化后的所述光阻层的所述第一部分为掩膜，刻蚀所述第一金属层及部分所述半导体层，以形成导电沟道。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，

在所述利用光罩曝光显影铺设于所述TFT基板上的光阻层，以使曝光显影后的所述光阻层包括第一部分及位于所述第一部分侧边的第二部分，且所述第一部分的最小厚度大于所述第二部分的最大厚度之前还包括：

在基底上从下往上依次形成第二金属层、绝缘层、所述半导体层、所述第一金属层及所述光阻层；

在所述以所述灰化后的所述光阻层的所述第一部分为掩膜，刻蚀所述第一金属层及部分所述半导体层，以形成导电沟道之后还包括：

去除所述灰化后的所述光阻层的所述第一部分；

在所述半导体层上，所述导电沟道的两侧分别形成源电极及漏电极。

7.一种TFT基板，所述TFT基板包括线路区域及非线路区域，且所述线路区域包括TFT区域，其特征在于，包括：

基底及从下往上依次设置于所述基底上的第一金属层及绝缘层；

所述线路区域的所述绝缘层上还设有半导体层及第二金属层；且所述半导体层的侧边不突出于所述第二金属层的侧边；

所述TFT区域还设有导电沟道；所述导电沟道贯穿所述第二金属层及部分所述半导体层；源极及漏极，分别设置于所述半导体层上，所述导电沟道的两侧。

8.根据权利要求7所述的TFT基板，其特征在于，

所述半导体层的侧边与所述第二金属层的侧边对齐。