[发明专利]一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩

说明书

本申请公开了一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩。该方法包括：获得包括第一部分及位于第一部分侧边的第二部分，且铺设于TFT基板上的光阻层；刻蚀位于光阻层下的TFT基板的第一金属层；且使光阻层的第一部分不突出于所述刻蚀后的第一金属层的侧边；以光阻层的第一部分为掩膜，刻蚀第一金属层下的半导体层，以使半导体层的侧边不突出于刻蚀后的金属层的侧边。通过该方法可以明显减少半导体层的裸露，从而能够提高TFT基板的可靠性。

技术领域

本申请涉及TFT基板技术领域，特别是涉及一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩。

背景技术

目前薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)基板普遍采用4道光罩(4Mask)工艺制作，该工艺流程具体包括：1)曝光显影光阻层；2)以光阻层为掩膜刻蚀TFT基板非线路区域的金属层；3)以光阻层为掩膜刻蚀非线路区域的半导体层、灰化光阻层及以灰化后的光阻层为掩膜刻蚀线路区域的金属层及部分半导体层，以形成导电沟道；4)剥离光阻层。

但本申请的发明人在长期的研发中发现，在目前现有4Mask工艺中，刻蚀TFT基板的非线路区域的金属层时，该金属层会被横向刻蚀掉一部分，从而会导致刻蚀后的半导体层突出于该金属层的边界，突出的半导体层裸露于该金属层之外，该裸露的半导体部分易在光和热的影响下，激发自由电子，该自由电子会降低TFT基板的可靠性。

发明内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种TFT基板的制作方法、TFT基板及光罩，以改善TFT基板的半导体层裸露的问题，进而提高该TFT基板的可靠性。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种TFT基板的制作方法。所述制作方法包括：利用光罩曝光显影铺设于所述TFT基板上的光阻层，以使曝光显影后的所述光阻层包括第一部分及位于所述第一部分侧边的第二部分，且所述第一部分的最小厚度大于所述第二部分的最大厚度；刻蚀位于所述光阻层下的所述TFT基板的第一金属层；且使所述光阻层的所述第一部分不突出于所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边；灰化所述光阻层，以去除所述光阻层的所述第二部分；以所述光阻层的所述第一部分为掩膜，刻蚀设置于所述第一金属层下的半导体层，以使所述半导体层的侧边不突出于所述刻蚀后的所述第一金属层的侧边。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种TFT基板。所述TFT包括线路区域及非线路区域，且所述线路区包括TFT区域，所述TFT基板包括：基底及从下往上依次设置于所述基底上的第一金属层及绝缘层；所述线路区域的所述绝缘层上还设有半导体层及第二金属层；且所述半导体层的侧边不突出于所述金属层的侧边；所述TFT区域还设有导电沟道；所述导电沟道贯穿所述第二金属层及部分所述半导体层；源极及漏极，分别设置于所述半导体层上，所述导电沟道的两侧。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：提供一种光罩。所述光罩包括：衬底及设置于所述衬底两端的半透膜；且所述半透膜包括与所述衬底的所述两端贴合的第一部分及突出于所述衬底的所述两端的第二部分；所述设有所述半透膜的所述第一部分的光罩部分对应于上述TFT基板的所述线路区域；所述设有所述半透膜的所述第二部分的光罩部分对应于上述TFT基板的所述非线路区域的与所述线路区域邻接的侧边。

本申请实施例的有益效果是：区别于现有技术，本申请实施例首先利用光罩曝光显影光阻层，以形成包含第一部分及位于第一部分侧边的第二部分的光阻层；然后刻蚀位于光阻层下的TFT基板的第一金属层，且使得该光阻层的第一部分不突出于该刻蚀后的第一金属层的侧边；然后灰化去除该光阻层的第二部分，并以该光阻层的第一部分为掩膜刻蚀位于该第一金属层下的半导体层。因该光阻层的第一部分不突出于该刻蚀后的第一金属层的侧边，所以以该光阻层的第一部分为掩膜刻蚀后的半导体层的侧边也不会突出于该刻蚀后的第一金属层的侧边，因此，可以明显减少该半导体层的裸露，从而能够减少该半导体的裸露部分被激发的自由电子，进而能够提高该TFT基板的可靠性。

附图说明