[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上形成至少包括薄膜晶体管区和电源线区的栅极金属层；

通过构图工艺在所述薄膜晶体管区形成栅极并在所述电源线区形成电源线，且所述栅极的厚度小于所述电源线的厚度；

在包括所述栅极的衬底基板上形成防氧化层，所述防氧化层的厚度小于所述栅极金属层的厚度；

通过构图工艺形成防氧化层图案，所述防氧化层图案至少覆盖所述栅极金属层上厚度小于所述电源线的厚度的区域；

通过构图工艺在所述薄膜晶体管区形成层叠的栅绝缘层、有源层以及源漏金属层，以得到薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅极金属层还包括存储电容区，所述阵列基板的制造方法还包括：

通过构图工艺在所述存储电容区形成电容电极，所述电容电极的厚度小于所述电源线的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述栅极金属层还包括栅线区，所述阵列基板的制造方法还包括：

通过构图工艺在所述栅线区形成栅线，所述栅线上包括与信号线交叉的交叉区，所述交叉区的栅线的厚度小于所述电源线的厚度。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述防氧化层和所述栅极金属层上任一厚度小于所述电源线的区域的厚度之和小于所述电源线的厚度。

5.根据权利要求1所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述在所述薄膜晶体管区形成栅极并在所述电源线区形成电源线包括：

在所述栅极金属层上涂布光刻胶层；

采用半色调掩膜版对所述光刻胶层进行曝光并显影，以至少得到完全去除区、与所述电源线区对应的保留区和与所述薄膜晶体管区对应的半保留区；

采用刻蚀工艺去除所述完全去除区露出的栅极金属层；

采用灰化工艺去除所述半保留区的光刻胶，露出所述薄膜晶体管区的栅极金属层；

采用刻蚀工艺减薄所述薄膜晶体管区的栅极金属层；

采用剥离工艺去除所述保留区的光刻胶层。

6.一种阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

电源线，设于所述衬底基板上；

薄膜晶体管，设于所述衬底基板上，且所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏金属层，所述栅极与所述电源线同层设置，且所述栅极的厚度小于所述电源线的厚度；

防氧化层图案，设于所述栅极和所述栅绝缘层之间，所述防氧化层图案的厚度小于所述栅极的厚度。

7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

存储电容，所述存储电容包括电容电极，所述电容电极设于所述衬底基板上并与所述栅极同层设置，且所述电容电极的厚度小于所述电源线的厚度。

8.根据权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：

栅线，设于所述衬底基板上并与所述栅极同层设置，所述栅线包括交叉区；

信号线，设于所述栅线上方并与所述栅线在所述交叉区交叉，且与所述交叉区的所述栅线的厚度小于所述电源线的厚度。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述防氧化层和所述栅极的厚度之和小于所述电源线的厚度。

10.一种显示装置，其特征在于，包括：

权利要求6～9任一项所述的阵列基板。