[发明专利]显示装置、阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201710261623.8 | 申请日: | 2017-04-20 |
公开(公告)号: | CN107068692B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 徐攀;蔡振飞;李永谦;袁志东;李蒙;袁粲;冯雪欢 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
本公开提供一种显示装置、阵列基板及其制造方法。本公开的阵列基板的制造方法包括:在衬底基板上形成至少包括薄膜晶体管区和电源线区的栅极金属层;通过构图工艺在薄膜晶体管区形成栅极并在电源线区形成电源线,且栅极的厚度小于电源线的厚度;通过构图工艺在薄膜晶体管区形成层叠的栅绝缘层、有源层以及源漏金属层,以得到薄膜晶体管。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种显示装置、阵列基板及阵列基板的制造方法。
背景技术
目前,随着显示面板广泛应用,人们对产品质量的要求也越来越高。阵列基板,作为显示面板的核心组件,其质量直接关系着最终产品的质量。现有阵列基板一般都具有薄膜晶体管,在形成薄膜晶体管的栅极时,需要在玻璃基板上先形成栅极金属层,再通过光刻工艺在栅极金属层上形成栅极;但该栅极金属层不仅仅用来形成栅极,通过光刻工艺还可以同时形成与栅极同层的电源线等。
对于电源线而言,为了降低线阻,保证压降,需要保证其具有较大的厚度;但由于金属热稳定性比玻璃差,厚度较大的金属在高温工艺中需要释放内部应力,使得金属层内缩而形成多个凸起的“小山丘”,即出现“hillock”现象;这些“小山丘”可能会刺透栅绝缘层,造成栅绝缘层两侧的金属出现短路,导致薄膜晶体管难以正常工作,从而影响阵列基板及显示面板的正常工作,且金属越厚,“hillock”现象的发生率越高,从而使产品的良率大幅降低。
需要说明的是,在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解,因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示装置、阵列基板及阵列基板的制造方法,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
根据本公开的一个方面,提供一种阵列基板的制造方法,包括:
在衬底基板上形成至少包括薄膜晶体管区和电源线区的栅极金属层;
通过构图工艺在所述薄膜晶体管区形成栅极并在所述电源线区形成电源线,且所述栅极的厚度小于所述电源线的厚度;
通过构图工艺在所述薄膜晶体管区形成层叠的栅绝缘层、有源层以及源漏金属层,以得到薄膜晶体管。
在本公开的一种示例性实施例中,所述栅极金属层还包括存储电容区,所述阵列基板的制造方法还包括:
通过构图工艺在所述存储电容区形成电容电极,所述电容电极的厚度小于所述电源线的厚度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述栅极金属层还包括栅线区,所述阵列基板的制造方法还包括:
通过构图工艺在所述栅线区形成栅线,所述栅线上包括与信号线交叉的交叉区,所述交叉区的栅线的厚度小于所述电源线的厚度。
在本公开的一种示例性实施例中,在形成所述栅极后,形成所述栅绝缘层之前,所述阵列基板的制造方法还包括:
在包括所述栅极的衬底基板上形成防氧化层;
通过构图工艺形成防氧化层图案,所述防氧化层图案至少覆盖所述栅极金属层上厚度小于所述电源线的厚度的区域,且所述防氧化层和所述栅极金属层上任一厚度小于所述电源线的区域的厚度之和小于所述电源线的厚度。
在本公开的一种示例性实施例中,所述在所述薄膜晶体管区形成栅极并在所述电源线区形成电源线包括:
在所述栅极金属层上涂布光刻胶层;
采用半色调掩膜版对所述光刻胶层进行曝光并显影,以至少得到完全去除区、与所述电源线区对应的保留区和与所述薄膜晶体管区对应的半保留区;
采用刻蚀工艺去除所述完全去除区露出的栅极金属层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的