[发明专利]一种可提高出光效率的QLED及制备方法有效
| 申请号： | 201710261921.7 | 申请日： | 2017-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN108735904B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 向超宇;张东华;李乐;辛征航;张滔 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 效率 qled 制备 方法 | ||
1.一种可提高出光效率的QLED，其特征在于，依次包括衬底、底电极、量子点发光层、纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层、顶电极，所述纳米粒子层为非平面结构；
所述纳米粒子层的团聚程度为：在平面上小于1μm，在纵向上小于100nm。
2.根据权利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述纳米粒子层为不定型的非平面结构。
3.根据权利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述纳米粒子层的厚度为10～100nm。
4.根据权利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述纳米粒子层的材料为TiOx或ZnO。
5.根据权利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述纳米粒子层中的纳米粒子尺寸小于30nm。
6.根据权利要求1所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述QLED的量子点发光层与纳米粒子层之间还设置有电子传输层。
7.根据权利要求6所述的可提高出光效率的QLED，其特征在于，所述QLED的底电极与量子点发光层之间还设置有空穴传输层和空穴注入层。
8.一种如权利要求1所述的可提高出光效率的QLED的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、在衬底上制作底电极；
B、在底电极上沉积量子点发光层；
C、通过溶液法在量子点发光层上制作纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层，所述纳米粒子层为非平面结构；
D、在纳米粒子层表面制作顶电极。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述步骤C中，采用旋涂法制作纳米粒子层。
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