[发明专利]一种可提高出光效率的QLED及制备方法

说明书

本发明公开一种可提高出光效率的QLED及制备方法，QLED依次包括衬底、底电极、量子点发光层、纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层、顶电极，所述纳米粒子层为非平面结构。本发明在QLED的顶部引入纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层，且纳米粒子层具有非平面结构，利用所述纳米粒子层可以提高QLED的光学提取率，从而有效的提高QLED的发光效率。同时本发明的结构不影响QLED的器件电学性能，满足工业化要求。

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种可提高出光效率的QLED及制备方法。

背景技术

相比于有机荧光发光体，基于量子点的QLED具有高色纯、长寿命和易分散等优点，且可利用印刷工艺制备，被普遍认为是下一代显示技术的有力竞争者。

现有技术中，QLED是平面薄膜结构，由于每层薄膜的折射率不同，在薄膜界面会产生光学反射。因此从量子点发出的光会被限制到QLED中。理论计算认为约只有20%左右的光会从QLED中发射，剩余80%的光会被限制在QLED的不同部分，这导致现有的QLED出光效率较低。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种可提高出光效率的QLED及制备方法，旨在解决现有的QLED出光效率低的问题。

本发明的技术方案如下：

一种可提高出光效率的QLED，其中，依次包括衬底、底电极、量子点发光层、纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层、顶电极，所述纳米粒子层为非平面结构。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述纳米粒子层的团聚程度为：在平面上小于1μm，在纵向上小于100nm。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述纳米粒子层为不定型的非平面结构。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述纳米粒子层的厚度为10~100nm。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述纳米粒子层的材料为TiO_x或ZnO。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述纳米粒子层中的纳米粒子尺寸小于30nm。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述QLED的量子点发光层与纳米粒子层之间还设置有电子传输层。

所述的可提高出光效率的QLED，其中，所述QLED的底电极与量子点发光层之间还设置有空穴传输层和空穴注入层。

一种如上所述的可提高出光效率的QLED的制备方法，其中，包括步骤：

A、在衬底上制作底电极；

B、在底电极上沉积量子点发光层；

C、通过溶液法在量子点发光层上制作纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层，所述纳米粒子层为非平面结构；

D、在纳米粒子层表面制作顶电极。

所述的制备方法，其中，所述步骤C中，采用旋涂法制作纳米粒子层。

有益效果：本发明在QLED的顶部引入纳米粒子间相互团聚的纳米粒子层，且纳米粒子层具有非平面结构，利用所述纳米粒子层可以提高QLED的光学提取率，从而有效的提高QLED的发光效率。同时本发明的结构不影响QLED的器件电学性能，满足工业化要求。

附图说明

图1为本发明可提高出光效率的QLED较佳实施例的结构示意图。

图2为本发明可提高出光效率的QLED具体实施例的结构示意图。