[发明专利]一种阵列基板、显示面板及显示设备

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板上设置有发光晶体管和用于控制该发光晶体管发光的开关晶体管，其特征在于，

所述开关晶体管包括位于所述衬底基板之上的半导体层、第一金属层、第二金属层和层间绝缘层；所述层间绝缘层位于所述第一金属层和所述第二金属层之间；其中，

所述半导体层包括所述开关晶体管的有源层、第一部分和第二部分，所述第一部分作为所述开关晶体管的源极或漏极，所述第二部作为所述发光晶体管的栅极；

在垂直于所述衬底基板的方向上，所述第一金属层与所述有源层交叠；

所述层间绝缘层中包括过孔，所述第二金属层通过所述过孔与所述第一部分相连；

所述发光晶体管包括栅极以及位于所述栅极之上的第一栅极绝缘层，所述层间绝缘层在垂直于所述衬底基板的方向上覆盖所述第二部分，所述层间绝缘层复用为所述第一栅极绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述开关晶体管还包括设置在所述第一金属层和所述有源层之间的第二栅极绝缘层。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二栅极绝缘层、所述层间绝缘层包括氧化硅。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，

所述开关晶体管还包括钝化层，所述钝化层设置在第二金属层和所述层间绝缘层之上；

所述开关晶体管的钝化层在平行所述衬底基板方向上延伸，与所述层间绝缘层共同作为所述第一栅极绝缘层。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述钝化层的材料包括氧化硅、氮化硅中至少一种。

6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括位于所述钝化层之上的表面层。

7.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括位于所述第二金属层和所述层间绝缘层之上的表面层。

8.根据权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述表面层的材料包括苯并环丁烯。

9.根据权利要求6或7所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括夹持设置于所述层间绝缘层和所述表面层之间的源极接触层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述源极接触层的材料包括下列之一或其组合：钼、铝、钛。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括位于所述表面层之上的源极层，所述源极层通过设置在所述表面层的过孔与所述源极接触层连接。

12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述源极层的材料包括碳纳米管。

13.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括位于所述表面层和所述发光晶体管的源极层之上的遮光层，所述遮光层位于阵列基板的非显示区。

14.根据权利要求13所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层的材料包括光敏聚酰亚胺树脂。

15.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，所述发光晶体管还包括位于所述发光晶体管的源极层之上的有源层，以及位于所述有源层之上的阴极层。

16.根据权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述阴极层的材料包括铝或铝银合金。

17.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。